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薄片PIN探测器及其阵列的灵敏度和上升时间测定 被引量:1

Measurement of a Thin-layer PIN Detector and Its Array Sensitivity and Risetime for g-ray
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摘要 利用CΓC67实验装置测量了薄片PIN探测器及其二元和三元阵列的低能g射线灵敏度和上升时间。实验证实,三元阵列灵敏度比单个探测器提高到近3倍,但上升时间也随之增大到近2倍。 The measurement of a thin-layer PIN detector and its array sensitivity and risetime for g-ray by CΓC67 system has been described in detail. According to the measurement,the sensitivity of an array comprising three detectors will be tripled in comparison with the single detector,but its risetime will be doubled.
出处 《信息与电子工程》 2004年第1期70-72,共3页 information and electronic engineering
基金 国防科技预先研究基金项目(413110602)
关键词 薄片PIN探测器 灵敏度 三元阵列 上升时间 CΓC67 electronic technology sensitivity risetime PIN detector measurement thin-layer array
  • 相关文献

参考文献3

  • 1欧阳晓平,王义,曹锦云,李真富.高灵敏大面积硅PIN探测器阵列[J].核电子学与探测技术,2000,20(5):329-331. 被引量:19
  • 2施志贵 张国光 张录.PIN二极管的研制及其应用[J].电子技术参考,2002,2(4):15-17.
  • 3何锡钧 刘国应.高等核物理实验方法[Z].中物院核物理与化学研究所,1998..

二级参考文献2

  • 1[1]Briesmeister Judith F. MCNPTM--A general Monte Carlo N -Particle transport code[R]. LA-12625-M Version 4B,1977.
  • 2[2]Kuckuck RW. Semiconductor detectors for use in the current mode[R].UCRL-51011,10.

共引文献18

同被引文献9

引证文献1

二级引证文献9

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