摘要
本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。
Based on the analyses of the coupled laser rate equations, three essential ways for extending the bandwidth of a semiconductor las mare presented, also reported are the design, the fabrication and the charaoteristios of a GaAs/GaAlAs window buried hoterostrnctuiv laser.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期406-410,共5页
Chinese Journal of Lasers
基金
国家自然科学基金资助项目
关键词
半导体
激光器
异质结构
semiconductor laser, heterostrueture, optoelectrou device