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透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器

GaAs/GaAlAs window buried heterostructure laser
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摘要 本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。 Based on the analyses of the coupled laser rate equations, three essential ways for extending the bandwidth of a semiconductor las mare presented, also reported are the design, the fabrication and the charaoteristios of a GaAs/GaAlAs window buried hoterostrnctuiv laser.
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期406-410,共5页 Chinese Journal of Lasers
基金 国家自然科学基金资助项目
关键词 半导体 激光器 异质结构 semiconductor laser, heterostrueture, optoelectrou device
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