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二甲亚砜中脉冲电沉积铋的研究

Study on the Electrodeposition of Bismuth from Dimethylsulfoxide
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摘要 研究了脉冲电沉积技术在二甲基亚砜中沉积得到Bi纳米线,纳米线的直径约为80～100nm,用紫外-可见光谱表征Bi纳米线的光学性质,为进一步研究二甲基亚砜中硅基体上电沉积Bi材料做了前期探索。 Bismuth nanowires are prepared by pulse technique in organic solvent. Their diameter is about 80～100 nm. Bismuth nanowires are characterized by UV_Vis optical absorption spectrum. Bismuth nanowires have semiconductor character.
作者 袁定胜 刘冠昆
机构地区 暨南大学化学系 中山大学化学与化学工程学院
出处 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期133-134,共2页 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni
基金 广东省自然科学基金资助项目(011215)
关键词 铋 纳米线 二甲基亚砜 脉冲电沉积 bismuth nano-wire dimethylsulfoxide pulse electrodeposition
分类号 O614.33 [理学—无机化学]
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参考文献6

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中山大学学报（自然科学版）
2004年 第2期

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