摘要
用均相沉淀法制备了不同形状和尺寸的CeO2 超细粉体 ,并配制成不同pH值的抛光液对硅片进行化学机械抛光。研究了不同粒径CeO2 磨料的抛光效果 ,结果表明 ,微米级的CeO2 磨料粒径比较大 ,切削深度比较深 ,材料的去除是以机械作用为主。随着磨料粒径的减小 ,切削深度随之减小 ,材料以塑性流动的方式去除 ,最终在 2 μm的范围内得到了微观表面粗糙度Ra =0 1 2 0nm的超光滑表面。实验证明 ,CeO2
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出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期743-745,共3页
China Mechanical Engineering
基金
江苏省自然科学基金资助项目 (BK2 0 0 2 0 10 )
关键词
CeO2磨料
化学机械抛光
硅片
粗糙度
cerium dioxide abrasive
chemical-mechanical polishing
silicon wafer
roughness
