摘要
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
Using a triple-layer antireflection coating on facets of InGaAsP semiconductor laser chips,the minimum facet reflectivity <0.03% for the center-wavelength of 1310nm and the super-luminescent diode of ASE ripple<0.5dB are obtained.
出处
《光学仪器》
2004年第2期51-54,共4页
Optical Instruments
基金
国家"863计划"资助项目(2003AA311080)
