单晶Ga-Al砷化物的超薄片基和薄膜结构工艺
出处
《中亚信息》
2004年第4期10-10,共1页
Central Asian Information
-
1张文俊,邓九兰,罗永才.砷作业的安全防护[J].劳动保护,2000(6):40-40.
-
2吴成铁,陈敏,李长敏,唐立.生物芯片及其片基的研究发展[J].材料导报,2002,16(7):64-65.
-
3曲钢,徐茵,顾彪,秦福文,郎佳红.镓基砷化物、氮化物量子点研究进展[J].电子元件与材料,2004,23(1):45-47.
-
4李幼真,陈海波,刘正.真空镀膜实验中掺Al对Ta-N薄膜性能的影响[J].材料导报,2012,26(16):87-90.
-
5刘广荣.美国研究者设计出发光晶体管[J].半导体信息,2005,0(4):28-29.
-
6李幼真,周继承,陈海波,刘正.多靶磁控共溅射纳米Ta-Al-N薄膜的阻挡性能研究[J].固体电子学研究与进展,2008,28(3):460-464.
-
7Avago Technologies高功率红外线发射器系列[J].电子产品世界,2006,13(03X):41-41.
-
8GAO Yuan,ZHANG Bao-jun,ZHANG Bo.Design of on-chip 15-18 GHz ultra low noise amplifier[J].The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications,2014,21(4):15-18. 被引量:1
-
9富信电子:打造全球最大半导体热电芯片基地[J].家电科技,2008(17):23-23.
-
10Avago Technologies推出高功率870nm和940nm红外线发射器系列产品[J].电信科学,2006,22(2):95-95.
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