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非极性SiC/GaN界面结构特性 被引量:1

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出处 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第1期121-121,共1页 Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)
基金 河南省自然科学基金项目(974051900)
  • 相关文献

参考文献2

  • 1N am O H,Bremser M D,Zheleva T S,et al. Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy[J]. Appl Phys Lett, 1997, 71(18):2 638.
  • 2Smart J A,Chumbes E M,Schremer A T,et al. Single step process for epitaxial lateral overgrowth GaN on SiC and ano saphire substrates[J]. Appl Phys Lett, 1999, 75(24):3 820.

同被引文献2

引证文献1

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