用纳米晶体技术成功制作出4Mb存储器件

据《Semiconductor FPD World》2003年Vol.22,No.6上报道,莫托洛拉公司成功地试制出以硅纳米晶体技术为基体的4Mb存储器件。该技术作为一种第二代不挥发性存储器技术而引人注目,它比普通的快闪存储器具有更小型、大容量、高可靠性和功率高效化的特点。