摘要
用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参数进行了优化,在射频功率为500W、自偏压为150V、流量为50cm3/s,以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下,硅的刻蚀速率达到了0 80μm/min.
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期546-547,共2页
Journal of Xi'an Jiaotong University
基金
陕西省自然科学研究基金资助项目(2 0 0 2E2 0 7)
