期刊文献+

Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapour Deposition

下载PDF
导出
出处 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第5期970-971,共2页 中国物理快报(英文版)
  • 相关文献

参考文献11

  • 1Nakamura S et al 1991 Japan. J. Appl. Phys. 30 L1708.
  • 2Nakamura Set al 1992 Japan. J. Appl. Phys. 31 L139.
  • 3Khan M A et al 1993 Appl. Phys. Lett. 63 1214.
  • 4Lefebvre Pet al 2001 Appl. Phys. Lett. 78 1252.
  • 5Takeuchi T et al 1998,Appl. Phys. Lett. 73 1691.
  • 6Wu F et al 2003 J. Appl,Phys. 94 942.
  • 7Haskell B A et al 2002 Appl. Phys. Lett. 83 644.
  • 8Melton W Aet al 1997 J. Crystal Growth 178 168.
  • 9Hiramatsu K et al 1999 Phys. Status Solidi A 176 535.
  • 10Schonherr H Vet al 1998.Appl. Phus. Leti: 72 566.

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部