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IGCT及IGCT变频器 被引量:7

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摘要 IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型电力电子器件。和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%。它是一种不需要吸收电路的开关器件,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有很低的功率损耗。IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断。由于IGCT设计理想,使得IGCT的开通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行。IGCT可望迅速取代GTO,成为高压变频器的首选器件。
机构地区 [
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期89-92,共4页 Semiconductor Technology
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参考文献1

  • 1ABB公司.产品资料[M].,2002..

同被引文献24

引证文献7

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