用DC—PCVD装置在绝缘体蓝宝石上沉积TiN的研究
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1吴大兴,周海.用DC—PCVD装置沉积非晶态Si3N4薄膜的研究[J].重庆特钢,1992(4):275-276.
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2周海.DC-PCVD法沉积的非晶态氮化硅的结构与性能研究[J].材料科学与工程,1997,15(2):56-60.
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3吴大兴,杨川,高国庆.用DC-PCVD装置对钢沉积Si_3N_4薄膜[J].金属学报,1997,33(3):320-324.
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4周海,吴大兴,杨川,高国庆.DC-PCVD装置中阴阳极上Si_3N_4薄膜沉积模型[J].机械工程材料,1997,21(4):11-12.
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5周海,吴大兴,杨川,高国庆.DC-PCVD法快速制备Si_3N_4薄膜[J].硅酸盐学报,1997,25(4):489-493. 被引量：5
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6马伯江,张涵源,朱华东,卜凡宁.DC-PCVD处理的金刚石磨头钎焊机理的研究[J].硬质合金,2015,32(3):164-168.
