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酸处理多孔硅高效发光性能 被引量：1

INVESTIGATION ON THE PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF POROUS SILICON FILM AFTER BEING TREATED BY HNO_3
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摘要 在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(PorousSilicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。通过荧光分光光度计测试并比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。另外,本文还对多孔硅以及HNO3处理的多孔硅的发光稳定性作了对比研究和探讨。 PS samples used in this work were made with P-silicon by anodization method under experimental condition.It was used HNO_3 to deal with PS samples. Through analysis of their photoluminescence properties,and found that the photoluminescence intensity of those PS samples that were treated by HNO_3 had a significant improvement.It was got down to the stability of PS treated by HNO_3 and obtained a series of data.-
作者 王水凤 姜乐 元美玲 唐小迅
机构地区 南昌大学物理学系 南昌大学材料科学系
出处 《南昌大学学报（理科版）》 CAS 北大核心 2004年第1期66-68,共3页 Journal of Nanchang University(Natural Science)
关键词 多孔硅 光致发光 HN03 酸处理 电化学腐蚀 发光稳定性 porous silicon photoluminescence HNO_3
分类号 TN104.3 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献10

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共引文献34

同被引文献7

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引证文献1

二级引证文献1

南昌大学学报（理科版）
2004年 第1期

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