HWE生长PbTe单晶薄膜及生长机理的研究被引量：4

HWE GROWN PbTe SINGLE CRYSTAL FILM AND STUDY OF GROWING MECHANISM

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摘要本文介绍了一种简单的热壁外延(HWE)装置,和利用它在BaF_2(111)衬底上生长PbTe(111)单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理. Present paper covers a simple HWE apparatus and the technique to grow PbTe (111) single crystal film on BaF2 (111) substrate by HWE, and the discussion of growing mechanism,

作者杨玉琨杨易赵斌吴连民姜亦忠刘岩峰

机构地区吉林大学分析测试实验中心

出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期249-255,共7页 Chinese Journal of Luminescence

关键词热壁外延薄膜单晶碲化铅

分类号 O484.1 [理学—固体物理]

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发光学报

1992年第3期

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