用IGBT代替MOSFET的可行性分析被引量：1

Feasibility Analysis of Replacement of MOSFET by IGBT

原文传递

导出

摘要本文对用IGBT代替MOSFET的可行性进行了分析。 The feasibility of replacement of MOSFET by IGBT are analyzed in this article.

作者崔万恒赵忠礼孟玉茹

机构地区深圳中兴通讯股份有限公司北京新展时代通讯设备有限责任公司

出处《电源世界》 2004年第3期29-30,共2页 The World of Power Supply

关键词双极性晶体管 MOSFET IGBT 可行性分析功率器件导通电阻电导调制效应 IGBT MOSFET feasibility

同被引文献4

1嘉兴斯达半导体IGBT模块[J].电力电子,2010(2):72-72.
2袁寿财,朱长纯,刘君华.新颖的IGBT等效电路模型及参数提取和验证[J].电子器件,2003,26(1):5-9.
3张屏英,刘润民.双极晶体管基极电阻的电流特性[J].固体电子学研究与进展,1991,11(1):38-43. 被引量：1
4蒋梦轩,沈征,王俊,帅智康,尹新,孙冰冰,廖淋圆.An insulated gate bipolar transistor with surface n-type barrier[J].Journal of Semiconductors,2015,36(12):91-96.
5臧源,蒲红斌,曹琳,李连碧.700V 4H-SiC晶闸管开通特性的模拟研究(英文)[J].固体电子学研究与进展,2012,32(5):419-423.
6杨坤进,汪德文.逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真[J].半导体技术,2013,38(7):517-520. 被引量：1
7蒋梦轩,沈征,王俊,尹新,帅智康,陆江.A high-conductivity insulated gate bipolar transistor with Schottky hole barrier contact[J].Journal of Semiconductors,2016,37(2):100-104.
8张荣,刘肃,李海蓉.静电感应晶闸管的负阻转折特性分析[J].半导体技术,2009,34(11):1088-1091.
9魏万印,刘肃,李海蓉.静电感应晶闸管的I-V特性物理分析[J].电力电子技术,2008,42(12):23-25.
10夏培邦.双极型IC核辐射下的瞬时损坏[J].电子学报,1993,21(2):97-100.

电源世界

2004年第3期

内容加载中请稍等...