纳米硅薄膜的研制被引量：37

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摘要使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.

作者何宇亮刘湘娜王志超程光煦王路春余是东

机构地区南京大学物理系南京大学固体微结构实验室

出处《中国科学（A辑）》 CSCD 1992年第9期995-1001,共7页 Science in China(Series A)

基金国家自然科学基金

关键词纳米硅非晶硅微晶硅薄膜硅

分类号 O484.1 [理学—固体物理]

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