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VDMOSFET的最佳设计 被引量：2

The Optimally Design of VDMOSFET
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摘要 以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶硅尺寸Lp的最佳设计比例,阐述了器件的最佳化设计思想. The physical machine-processed and working principle of VDMOSFET is analyzed systematically on the basis of a square cell. Optimally scaled design of the size of poly-window Pw and the size of poly-length PT through large number calculation are found out. The best design idea of the device is stated.
作者 王中文
机构地区 辽宁大学物理系
出处 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期27-30,共4页 Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition
关键词 VDMOSFET 设计 正方形单胞 特征导通电阻 单胞尺寸 功率场效应器件 VDMOSFET specific on-resistance cell-size.
分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献7

二级参考文献17

  • 1黄尧民 等.机械CAD[M].北京：机械工业出版社,1999.100-112.
  • 2黄尧民 等.机械CAD[M].北京：机械工业出版社,1999.100- 112.
  • 3杨晶琦编著.电力电子器件原理与设计[M].北京：国防工业出版社,2001..
  • 4[1]Adrian rusu and constantin bulucea IEEE transactions on electron devlces [J], 1979,26(3):201-204.
  • 5[2]Demir s.Zoroglu and lowell e.clark IEEE transactions on electron devlces [J], 1972,19(1):4-8.
  • 6[3]V.Patrick o'neil and pau G.Alonas IEEE transactions on electron devlces[ J], 1979,26(7):1098-1100.
  • 7[4]Andrew S.Grove,otto lelstiko and william w.hooper IEEE transactions on electron devices[J], 1967,14(3):157-162.
  • 8David, R. F., Compterlzed thermal Analysis of Hybrid circuitys. Intem Electren Component Conf[J]. 1977,324-332.
  • 9Sun,S C and plummetr,J D Modeliry d the On-Rsistance of LDMOS, VDMOS, and VMOS power Trensistors IEEE Trans. On Electron Dviees[ J]. 1980,27:356 - 367.
  • 10Krishna Shenai. Optimally Scaled Low- Voltage Vertical Power MOSFET's for High- Frequency Power Conversion[J] ,IEEE Transactions On Electron Devices, 1990 ; 37 (4), 1141- 1151.

共引文献9

同被引文献7

  • 1STENGL R, GOSELE U, FELLINGER C, et al. Variation of lateral doping as a field terminator for high voltage power device [J].IEEE Trans Electron Devices, 1986, ED-33(3): 426-428.
  • 2CHEECJ FUJ WANGJJ etal.A novel polysilicon and oxide sandwich deep trench with filed liming ring for RF power transistor .半导体学报,2004,25(11):1399-1401.
  • 3TEMPLE A K, TANTRAPORE W. Junction termination extension for near ideal brekdown voltage in p-n junction [J]. IEEE Trans Electron Devices, 1986, ED-33: 1601 - 1608.
  • 4屈坤,淮永进,刘建朝.低压VDMOSFET元胞尺寸设计[J].微电子学与计算机,2007,24(12):77-79. 被引量：4
  • 5赵野,张颖,高嵩,石广元.低压VDMOSFET导通电阻的优化设计[J].辽宁大学学报（自然科学版）,2001,28(3):247-252. 被引量：5
  • 6徐兴明,莫良华,叶青,钱静.高压大电流VDMOS研究[J].微电子技术,2001,29(5):22-26. 被引量：3
  • 7范月珍,苏德海,薜煌,高成国.垂直MOS功率器件的结构设计[J].微处理机,1991,12(1):1-9. 被引量：1

引证文献2

二级引证文献7

辽宁大学学报（自然科学版）
2004年 第1期

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