飞兆在PCIM China 2004上重申其战略重点
出处
《电子产品世界》
2004年第05A期88-88,共1页
Electronic Engineering & Product World
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1飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议[J].中国集成电路,2012(3):6-6.
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2飞兆在韩国开设封装设计中心[J].今日电子,2002(11):100-100.
-
3飞兆推出新型平面型MOSFET[J].今日电子,2002(11):100-100.
-
4孙德印.FAN系列液晶彩电背光灯控制电路维修资料[J].家电维修（大众版）,2013(9):53-55.
-
5新型无底SO—8封装MOSFET系列[J].电子产品世界,2002,9(09B):93-94.
-
6JASON ZHAN.适用功率MOSFET封装的选择[J].电子产品世界,2004,11(08A):127-129.
-
7方佩敏.FAN3XXX系列高速低端MOSFET驱动器概述[J].今日电子,2007(11):51-53.
-
8孙德印.新型显示器电源电路维修资料（三）[J].家电维修,2008(3):60-61.
-
9Craig Hunter.表面贴装功率MOSFET封装的演进[J].今日电子,2008(11):50-51.
-
10Muralitharan Samy,Krishnan Ramdass,Robert Krause.MICROCOUPLER为高温应用提升功耗性能[J].世界电子元器件,2004(12):34-35.
