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韩国开发出新一代超高速存储器芯片

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出处 《新材料产业》 2004年第3期54-54,共1页 Advanced Materials Industry
关键词 韩国 超高速存储器芯片 三星电子公司 XDR DRAM 运算速度
分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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新材料产业
2004年 第3期

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