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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层和超晶格及其临界厚度 被引量:1

Ge_xSi_(1-x)/Si Strained Layer Superlattices and Their Critical Layer Thickness
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摘要 异质外延层的性能和质量,往往取决于异质结构的特性。文章讨论了Ge_xSi-(1-x)/Si 应变层和应变层超晶格中的应变、位错和临界厚度,并比较了实验结果。 The characteristics and quality of hetercepitaxial layer are depen- dent on the properties of the heterostructure.In this paper,the strain,dis- locations and critical layer thickness of Ge_xSi_(1-x)/Si strained layer superlatti- ces are discussed and comparison cf experimental results is made.
作者 罗江财
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1993年第1期35-40,47,共7页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 应变层 超晶格 临界厚度 外延生长 Strained Layer Superlattice Critical Layer Thickness
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