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离子注入的特殊应用

Some Special Applications of Ion Implantation
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摘要 描述了离子注入的几个特殊应用,其中包括离子束退火效应,增加肖特基势垒高度,注入吸杂效应,合成 SiO_2膜及离子注入材料改性等。 A number of special applications of ion implantation are described such as ion beam annealing(IBA)effect,the enhancement of Schottky barrier height,gettering effect,the synthesis of SiO_2 films,and an improvement on proper- ties of the materials,etc.
作者 曾庆高
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期180-184,共5页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 离子注入 离子束退火 半导体器件 Ion Implantation IBA Gettering
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参考文献1

  • 1王勇,李维中,李志坚.薄膜的研究[J]半导体学报,1985(06).

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