摘要
描述了离子注入的几个特殊应用,其中包括离子束退火效应,增加肖特基势垒高度,注入吸杂效应,合成 SiO_2膜及离子注入材料改性等。
A number of special applications of ion implantation are described such as ion beam annealing(IBA)effect,the enhancement of Schottky barrier height,gettering effect,the synthesis of SiO_2 films,and an improvement on proper- ties of the materials,etc.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期180-184,共5页
Semiconductor Optoelectronics