摘要
对Pd/W/Si(111)双层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究,实验结果表明:Pd/W/Si(111)双层膜中W单层膜起了阻挡Pd-Si原子互扩散的作用,随着退火温度的升高,Pd、W、Si原子的互扩散不断进行,硅化物首先在W/Si界面处生成.由于PdSix晶粒不断地长大,将W原子推到薄膜的外层,形成了Pd-W原子的分布反转.这样在Si衬底的界面处形成了硅化物的浅接触,而薄膜的外层形成了难熔金属硅化物的自然保护层.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第5期45-48,共4页
Semiconductor Technology
基金
中国科学技术大学结构分析开放实验室科研基金资助课题
