AlGaAs基质氧化膜的生长及性质

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摘要利用AlGaAs的水汽氧化技术(湿法氧化)成功地在AlGaAs层上生长出基质氧化膜.测量表明:膜厚为100～200nm,折射率范围为1.6～1.8.该膜具有优良的电绝缘特性,电阻率大于10^(10)Ω·cm,击穿场强大于5×10~6V/cm.硅上用MBE生长的QW-GaAs材料在生长基质氧化膜后,经RTA处理(1050℃,15s)后,产生明显的IILD(杂质诱导层无序)作用,GaAs量子阱中PL峰蓝移达25～35meV.此项工艺可用于激光器制造及OEIC加工中.

作者谭智敏陈培毅相奇黄要胜

机构地区清华大学

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第5期41-44,共4页 Semiconductor Technology

关键词 ALGAAS 氧化膜生长集成电路

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1993年第5期

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