微电子学和有关分立器件与材料的发展研究

下载PDF

导出

摘要本文对功能半导体材料硅、砷化镓、磷化铟材料、硅基和Ⅲ-Ⅴ族基的超晶格量子阱及其新型功能材料(超导、金刚石、多孔硅等)进行介绍分析,提出发展建议和措施.

作者黄义贞

机构地区电子部第

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第6期41-46,共6页 Semiconductor Technology

关键词微电子学半导体材料分立器件

1孙志君.超晶格量子阱长波红外焦平面阵列技术的进展[J].半导体光电,1993,14(1):17-24.
2吴荣汉.砷化镓超晶格量子阱反射式光调制器[J].光电子．激光,1997,8(A10):20-21.
3程开富.Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格量子阱红外探测器和焦平面阵列现状[J].半导体光电,1993,14(1):13-16. 被引量：1
4易正亮,鄢和平,李世清.磷化铟材料的中子嬗变掺杂[J].半导体光电,1998,19(3):191-193.
5孙聂枫,陈旭东,赵有文,杨光耀,刘思林,孙同年.磷化铟晶体材料的应用进展研究[J].半导体情报,1998,35(4):1-6. 被引量：5
6一般性问题[J].中国无线电电子学文摘,1994(2):1-2.
7刘磊,任晓敏,周静,王琦,熊德平,黄辉,黄永清.横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型[J].物理学报,2007,56(6):3570-3576. 被引量：1
8电子物理学[J].中国学术期刊文摘,2008,14(1):70-71.
9汪艺桦.Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱结构红外探测器最新进展[J].激光与红外,1992,22(5):18-24.
10王博,赵有文,董志远,邓爱红,苗杉杉,杨俊.高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷[J].物理学报,2007,56(3):1603-1607. 被引量：5

半导体技术

1993年第6期

浏览历史

内容加载中请稍等...