抗辐射加固技术被引量：1

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摘要简要介绍了辐射因素、效应及抗辐射微电子材料的选择,抗辐射加固技术的发展动态;对如何发展抗辐射加固技术提出了几点建议.

作者郭树田

机构地区电子部第

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第6期36-40,46,共6页 Semiconductor Technology

关键词微电子技术抗辐射加固技术材料

同被引文献5

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半导体技术

1993年第6期

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