三维TLM方法在半导体器件的热模拟和热设计中的应用

Use of the Three-Dimensional TLM Method in the Thermal Simulation and Design of Semiconductor Devices

本文介绍了用三维传输线矩阵法(TLM)分析了不同材料制成的半导体器件的热特性。这种方法能容易地将热特性与温度的关系考虑进去,具有数值稳定性,与其它复杂的几何模型数值技术相比,在计算费用和设备上都有优越性。本文以一个典型的微波功率器件结构的三维热分析为例进行了说明。这个例子说明了在温升受控制的情况下,覆盖金属层的影响和衬底材料的热导率。对瞬态和稳态热计算也作了定量研究。结果表明,TLM法在半导体器件的热分析和热设计中是很有潜力的。