Si／Si1—xGex异质结双极晶体管发展概况
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1邹德恕,陈建新,沈光地,张时明,邓军.电子束蒸发二氧化硅薄膜在Si／Si_（1－x）Ge_x HBT中的应用研究[J].半导体技术,1996,12(2):42-43.
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2张鹏翔,Lock.,DJ.Si／Si_（1－x）Ge_x应变层超晶格折叠声子能隙的精细测量[J].Journal of Semiconductors,1994,15(6):373-382.
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3张万荣,高攀,金冬月,张静,张正元,刘道广,王健安,徐学良,陈光炳.SiGe/Si HBT低频噪声特性研究[J].微电子学,2006,36(1):23-26. 被引量：1
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4张万荣,邱建军,金冬月,张静,张正元,刘道广,王健安,徐学良,陈光炳.SiGe/Si HBT高频噪声特性研究[J].微电子学,2006,36(1):27-29. 被引量：4
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5罗浩平,蔡金华.Si/Si_(1-x)Ge_x异质结器件[J].微电子学,1993,23(2):27-32.
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6罗浩平,蔡金华.开创了第二代硅新技术的Si/Si_(1-x)Ge_x异质器件[J].半导体技术,1995,11(1):6-11. 被引量：1
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7Won,T,兰强春.Si／Si1—xGex异质结双极晶体管的高速特性[J].微电子技术,1993,21(6):35-37.
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8张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,沈光地,罗晋生.应变Si_(1-x)Ge_x层材料和Si/Si_(1-x)Ge_x器件物理参数模型[J].半导体技术,1998,23(3):46-52. 被引量：4
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9褚幼令,盛篪,王昕,龚大卫,王宗欣.SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量[J].固体电子学研究与进展,1999,19(1):92-96.
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10郭宝增.Si/Si_(1-x)Ge_x应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究[J].Journal of Semiconductors,1998,19(10):764-772. 被引量：5
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