LEC法生长SI—GaAs单晶时C的沾污和降低
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1徐玉忠,杨连生.LEC法生长2时{100}低位错GaAs单晶[J].半导体杂志,1990,15(2):9-11.
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2崔玉成.LEC法生长砷化铟单晶[J].稀有金属,1996,20(3):239-240. 被引量：2
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3莫培根,范向群,周炎德,吴巨.改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶[J].固体电子学研究与进展,1990,10(1):94-100.
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4谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,朱顺才,陈小兵.半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究[J].半导体技术,1994,10(6):49-51.
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5谢自力.LEC法生长SI—GaAs晶体中孪晶形成与抑制[J].半导体杂志,1993,18(3):1-5.
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6谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.降低SI-GaAs单晶中碳含量的实验研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(4):341-346. 被引量：1
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7刘力宾.低位错掺铟与不掺杂LEC SI-GaAs单晶生长工艺研究[J].稀有金属,1990,14(5):387-390.
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8谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素[J].半导体技术,1997,13(6):51-54. 被引量：1
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9潘静,杨瑞霞,骆新江,李晓岚,杨帆,孙聂枫.InP晶片位错密度分布测量[J].微纳电子技术,2011,48(3):199-202. 被引量：2
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10徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣.半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响[J].Journal of Semiconductors,2005,26(1):72-77. 被引量：1
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