非晶硅碳薄膜发光二级管发光猝灭的分析
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2周亚训,王晓东.温度和电场对a-SiC:HTFLED发光亮度的影响[J].半导体光电,2000,21(1):71-72. 被引量：2
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3周亚训,陈培力,王晓东,白贵儒.非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭[J].发光学报,1993,14(2):159-164. 被引量：2
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6闫光,赵谡玲,徐征,张福俊,孔超,朱海娜,宋丹丹,徐叙瑢.Electroluminescence quenching mechanism in Rubrene doped host-guest system[J].Chinese Physics B,2010,19(3):563-567. 被引量：1
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8刘引烽,刘丽,陈炜,李煜光,邹婷,胡和丰,华家栋,闵嘉华,桑文斌,孟中岩,陈捷.聚合物/纳米半导体电致发光[J].激光与光电子学进展,2005,42(10):41-46.
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9郭亨群.多孔硅表面吸附贵金属原子引起的光致发光猝灭[J].激光与光电子学进展,1995,32(A01):83-83.
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10倪梦莹,李清山,李媛媛,王会新,曹小龙.多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究[J].液晶与显示,2004,19(4):308-312.
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