LEC法生长SI—GaAs晶体中孪晶形成与抑制
-
1谢自力.LEC法生长SI—GaAs单晶时C的沾污和降低[J].半导体杂志,1993,18(1):8-13.
-
2徐玉忠,杨连生.LEC法生长2时{100}低位错GaAs单晶[J].半导体杂志,1990,15(2):9-11.
-
3崔玉成.LEC法生长砷化铟单晶[J].稀有金属,1996,20(3):239-240. 被引量：2
-
4莫培根,范向群,周炎德,吴巨.改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶[J].固体电子学研究与进展,1990,10(1):94-100.
-
5谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,朱顺才,陈小兵.半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究[J].半导体技术,1994,10(6):49-51.
-
6谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.降低SI-GaAs单晶中碳含量的实验研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(4):341-346. 被引量：1
-
7王占国,戴元筠,徐寿定,杨锡权,万寿科,孙虹,林兰英.SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(3):216-224. 被引量：3
-
8刘力宾.低位错掺铟与不掺杂LEC SI-GaAs单晶生长工艺研究[J].稀有金属,1990,14(5):387-390.
-
9谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素[J].半导体技术,1997,13(6):51-54. 被引量：1
-
10潘静,杨瑞霞,骆新江,李晓岚,杨帆,孙聂枫.InP晶片位错密度分布测量[J].微纳电子技术,2011,48(3):199-202. 被引量：2
;
