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功率VDMOS场效应晶体管的可靠性（2）

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作者韩卓人

出处《半导体杂志》 1993年第3期36-49,共14页

关键词场效应晶体管可靠性 VDMOS

分类号 TN386.06 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1韩卓人.功率VDMOS场效应晶体管的可靠性（1）[J].半导体杂志,1993,18(2):39-47.
2李中江,夏俊峰,刘美溶,薛发龙.高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计[J].半导体技术,1989,5(6):1-4.
3韩卓人.功率VDMOS场效应晶体管的可靠性（3）[J].半导体杂志,1993,18(4):26-35.

半导体杂志

1993年第3期

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