硅中锗对热施主的影响
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1王晓泉,杨德仁,余学功,马向阳,阙端麟.氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响[J].材料科学与工程学报,2003,21(3):353-355. 被引量：2
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2栾洪发,张果虎,李兵,陈学清,秦福,钱佩信.直拉硅单晶中热施主的快速热退除[J].Journal of Semiconductors,1995,16(10):789-793. 被引量：1
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3杨德仁,阙端麟.微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究[J].Journal of Semiconductors,1995,16(8):608-610.
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4材料科学其他学科[J].中国学术期刊文摘,2007,13(22):70-70.
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5谢书银,石志仪,李冀东,董萍.热处理对硅片抗弯强度的影响[J].中国有色金属学报,1997,7(1):169-171. 被引量：2
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6张维连,孙军生,檀柏梅,李嘉席.锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响[J].河北工业大学学报,2001,30(2):12-14. 被引量：1
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7李金刚,杨德仁,马向阳,阙端麟.直拉硅单晶中氢行为的研究进展[J].材料导报,2007,21(9):24-27.
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8佘思明,李冀东,廖平婴.硅中氮的电学行为的研究[J].Journal of Semiconductors,1996,17(4):269-274. 被引量：1
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9陈祥献.霍尔测试估计含氮直拉硅单晶中的氧施主[J].半导体杂志,1997,22(2):9-11.
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10闵靖,邹子英,吴晓虹.表征硅片中氧的深度分布的间接测试方法[J].上海计量测试,2000,27(5):38-39.
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