半导体薄膜中杂质的二次离子质谱分析
-
1王佑祥,陈春华,陈新.二次离子质谱分析在半导体材料与器件工艺中的应用[J].半导体技术,1993,9(2):46-50. 被引量：2
-
2赵军,陆慧庆,李向阳,方家熊.砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析[J].红外与毫米波学报,2000,19(4):281-284. 被引量：3
-
3徐非凡,吴俊,巫艳,陈路,于梅芳,何力.As在HgCdTe外延层中的扩散系数[J].红外与毫米波学报,2005,24(1):7-10. 被引量：5
-
4王平,杨银堂,郭立新,尚韬,刘增基.SiC欧姆接触特性[J].西安电子科技大学学报,2011,38(4):38-41. 被引量：3
-
5赵杰.多晶硅/氧化硅界面的二次离子质谱分析[J].半导体技术,2002,27(10):64-67. 被引量：1
-
6彭坤,王飚,肖德元,仇圣棻,林大成,吴萍,杨斯元.TDDB improvement by optimized processes on metal-insulator-silicon capacitors with atomic layer deposition of Al_2O_3 and multi layers of TiN film structure[J].Journal of Semiconductors,2009,30(8):23-27.
-
7马农农,何友琴,李雨辰,任殿胜.砷化镓抛光晶片表面沾污的二次离子质谱分析[J].现代仪器,2007,13(5):16-17.
-
8电子、通信与自动控制技术——电子技术[J].中国学术期刊文摘,2007,13(8):138-144.
-
9张廷庆,刘家璐,李建军,孙永明,赵元富.不同剂量BF_2^+注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析[J].微细加工技术,1998(4):43-46.
-
10徐伟中,叶志镇,周婷,赵炳辉,朱丽萍,黄靖云.MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜[J].Journal of Semiconductors,2005,26(1):38-41. 被引量：13
;
