沉积条件对直流等离子体CVD金刚石膜光致发光的影响
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1祁山,金曾孙.直流等离子体CVD方法合成金刚石膜[J].薄膜科学与技术,1991,4(2):81-85.
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2彭国贤.直流等离子体光柱显示器件[J].真空电子技术,1992,5(6):25-29. 被引量:2
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3霍纯青,张跃飞,刘福平,陈强,孟月东.Different Shapes of Nano-ZnO Crystals Grown in Catalyst-Free DC Plasma[J].Plasma Science and Technology,2009,11(5):564-568.
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4彭国贤.彩色等离子体光柱显示器件[J].现代显示,1999(4):24-29.
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5彭国贤.光柱显示技术探讨[J].光电子技术,1995,15(2):122-129.
-
6彭国贤.传感器用光柱显示技术[J].传感器世界,2001,7(7):7-12.
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7张源涛,马艳,张宝林,杜国同.氢化对ZnO发光性质的影响[J].Journal of Semiconductors,2008,29(3):526-529.
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8谢雁,赵程,李世直.辅助外加热直流等离子体中放电参数的影响[J].真空电子技术,1997,10(3):11-13.
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9廖克俊,王万录.直流等离子体CVD法制备c—BN膜[J].微细加工技术,1995(2):46-50.
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10彭国贤.光柱显示技术[J].仪表技术,1995(4):35-39. 被引量:3