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不掺杂GaAs膜注入载流子感生线偏振光吸收谱和光荧光谱

Injected Carrier Induced Absorption Spectrum of LinearlyPolarized Light and PhotolumineacenceSpectrum in Undoped GaAs Film
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摘要 实验测量MOVPE生长不掺杂GaAs膜注入载流子感生线偏振光吸收谱和激光光荧光谱。结果表明注入载流子引起带隙和光荧光谱峰值明显减小。它们与注入载流子浓度均呈非线性变化关系。 The injected carrier induced absorption spectrum of linearly polarized light and photolumineacence spectrum in undoped CaAs film grown by MOVPE are determined experimentally. It show that the energy-gap and maximum of photolumineacence intensity are remakely decreased due to carrier injection. The carrier-induced changes in energy-gap and maximum of photolumineacence intensity are nonlinearly variations with the injected carrier concentrations.
作者 王德煌
出处 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第5期583-587,共5页 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis
关键词 注入载流子 线偏振光吸收 砷化镓 Undoped GaAs film Injected carrier Absorption of linearly polarized light Photolumineacences
  • 相关文献

参考文献3

  • 1王启明,半导体超晶格/量子阱物理与光电子器件,1991年
  • 2王德煌,中国激光,1988年,15卷,12期,707页
  • 3黄昆,物理,1986年,5卷,6期,329页

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