出处
《电子产品世界》
2003年第04B期72-74,共3页
Electronic Engineering & Product World
同被引文献12
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1侯识华,赵鼎,孙永伟,徐云,谭满清,陈良惠.垂直腔面发射激光器的热学特性[J].Journal of Semiconductors,2005,26(4):805-811. 被引量:7
-
2赵英杰,李轶华,李林,张永明,郝永琴,晏长岭,姜晓光,钟景昌.VCSEL的研究进展及应用前景[J].长春理工大学学报(自然科学版),2005,28(1):23-26. 被引量:5
-
3李吉光,曹明翠,罗风光.面向系统仿真的垂直腔表面发射半导体激光器模型[J].光学与光电技术,2005,3(4):29-32. 被引量:3
-
4刘生贵,陈建国.垂直腔面发射激光器驻波图样与特性分析[J].激光技术,2005,29(4):407-409. 被引量:1
-
5刘超,张雅丽,徐桂芝,张韬,侯广辉,祝宁华.垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差分析[J].Journal of Semiconductors,2006,27(8):1480-1483. 被引量:3
-
6高洪海,林世鸣,康学军,高俊华,王立轩,王红杰,吴荣汉.垂直腔面发射激光器热特性的实验研究[J].光子学报,1997,26(6):522-526. 被引量:6
-
7赵一广,张宇生,黄显玲.垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性[J].Journal of Semiconductors,1999,20(11):963-970. 被引量:14
-
8黄捷.谐振器封帽机气动系统设计[J].木工机床,2002(1):17-19. 被引量:4
-
9李玉娇,宗楠,彭钦军.垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状[J].激光与光电子学进展,2018,55(5):49-61. 被引量:13
-
10刘立新,赵红东,曹萌.垂直腔面发射激光器热场特性分析[J].微纳电子技术,2003,40(4):8-11. 被引量:5
-
1殷景志,王志杰,石家纬.异质结光电晶体管增益特性分析[J].半导体光电,1995,16(2):157-162.
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2射频识别PK无线互联:哪个更“泛在”?[J].中国防伪报道,2009(8):25-26.
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3邓志杰.美国宽带隙材料的发展目标[J].现代材料动态,2003(3):2-4.
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4科信.硅材料再现技术突破,有望实现200亿美元的电力电子的市场份额[J].半导体信息,2015,0(4):36-36.
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5殷景志,张伟刚.宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管(HPT)的研究[J].广西工学院学报,1995,6(1):70-75. 被引量:1
-
6罗君.半导体激光器面面观[J].世界电子元器件,2002(11):16-18. 被引量:1
-
7李玲玲(编译).可产生紫外光的发光二极管[J].激光与光电子学进展,2006,43(2):78-78.
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8邓志杰(摘译).半导体SiC研究开发现状[J].现代材料动态,2006(6):4-6.
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9何德功.电视机贴在窗户上不是梦[J].今日科苑,2005(5):57-57.
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10日本东京工业大学开发出新型透明导电薄膜[J].石油化工,2014,43(11):1258-1258.
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