Infineon推动DDR2成为DRAM市场主流
出处
《中国集成电路》
2004年第5期16-16,共1页
China lntegrated Circuit
-
1英飞凌科技拓展应用领域与国内开展核心技术合作[J].半导体技术,2004,29(5):116-116.
-
2三星电子：DDR2内存转入90nm制程[J].电子工业专用设备,2004,33(9):39-40.
-
3羽冬.高速DDR2存储器将于2005年批量生产[J].半导体信息,2003,0(3):18-18.
-
4程渊.DDR2 VS. DDR——决战2005市场[J].微型计算机,2005,25(18):53-55.
-
5全球10大半导体公司排名出炉[J].现代材料动态,2005(5):22-22.
-
6市场半月谈[J].计算机应用文摘,2006,22(1):34-34.
-
7英飞凌公布二季度及上半年财务成果[J].今日电子,2004(5).
-
8丛秋波.英飞凌将90纳米DRAM沟槽技术转让于中芯国际[J].电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(2):113-113.
-
9英飞凌整装待发走进DDR2时代[J].现代表面贴装资讯,2004,3(3):23-24.
-
10英飞凌——半导体及系统解决方案专家[J].汽车零部件,2012(3):41-42.
;
