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ITO前驱物氢氧化铟In(OH)_3理论研究 被引量:7

Study of indium trihydroxide In(OH)_3 for ITO
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摘要 分析了铟锡氧化物IT0 (IndiumTinOxide)前驱体氢氧化铟In(OH) 3的结构 ,理论计算了其马德隆常数和晶格能 ,其值分别为 2 94 88和 - 5 0 95 2 1kJ mol,并给出了晶核表面自由能近似公式和晶核生长率的近似表达式 ,进而计算了采用化学沉淀法制备In(OH) 3纳米粉末时的晶核形成参数 ,In(OH) 3晶核生长初期的生长率约为 0 0 1 2nm s. The structure of indium trihydroxide In(OH) 3 for ITO(Indium Tin Oxide) has been analysed, the Madelung constant and lattice energy of In(OH) 3 have been calculated, they are 2 9488 and -5095 21kJ/mol respectively, and a surface energy approximative expression is given, and then ulteriorly In(OH) 3 crystal granule parameters are calculated in preparing nanosized In(OH) 3 powder using the method of chemical precipitation,the growth rate 0 012nm/s about is given in this paper.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1923-1929,共7页 Acta Physica Sinica
基金 国防预研项目 (批准号 :413 10 0 2 0 2 )资助的课题~~
关键词 纳米粉末 表面自由能 晶核生长 氢氧化铟 铟锡氧化物薄膜 马德隆常数 nanosized powder, In(OH) 3, surface energy, crystal granule growth
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