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电子陶瓷局部化学镀镍、铜新工艺 被引量:1

Local Electroless Ni,Cu Plating on Dielectric Ceramics
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摘要 提出了电子陶瓷局部化学镀功能金属层的新方法,讨论了活化基体的存放时间对沉积速度的影响,进而探讨了活化糊中钯含量与介电损耗、焙烧温度与镀层结合力之间的关系以及镀层的耐焊性。 A new local electroless Ni, Cu plating process on dielectric ceramics is introduced. The essential technological parameters are discussed in detail.
出处 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期23-25,共3页 Materials Protection
  • 相关文献

同被引文献1

  • 1刘炳泗,袁维富,王国斌.无引线瓷介电容局部化学镀镍或铜方法[P]中国专利:CN1057300.

引证文献1

二级引证文献2

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