摘要
直流写、直流擦以及漏极干扰是影响Flash存储器长期有效保存数据的主要原因,本文在Mohammad失效模型的基础上提出了一个更优的测试算法,从而有效缩短测试时间,节约生产成本。
The key killers to the retention of Flash memory are three different types of disturbances, DC-Programming, DC-Erasure, and Drain Disturbance. Here we present an optimized algorithm on the base of previous fault models to save the time and cost of testing.
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2004年第5期121-123,共3页
Microelectronics & Computer
关键词
直流写
直流擦
漏极干扰
测试算法
DC-Programming, DC-Erasure, Drain Disturbance, Testing algorithm
