期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

线宽0.15μm曝光技术

下载PDF

导出

摘要日本电气公司开发了制造1Gbit以上的大容量DRAM所需要的刻线宽0.15μm的超微细曝光技术,采用紫外线作为光源使用 ArF激光器不依赖于电子束曝光和X射线曝光也能确保产量.今后还打算作为实用技术进一步发展,提高感光材料的性能和改善曝光装置.

作者吴秀丽

出处《光机电信息》 1995年第1期36-37,共2页 OME Information

关键词曝光技术日本电气公司紫外线感光材料曝光装置

分类号 TB84 [一般工业技术—摄影技术]

引文网络
相关文献

1SteveMirsky 王钟曹书朝.诱人的管[J].科学,2000(9):74-75.
2摄影技术信箱[J].摄影世界,2004(3):118-119.
3林辉,吴东升,徐元英.碳纳米管[J].现代物理知识,2002,14(5):30-31.
4王纯.测光的局限性[J].照相机,2005(7):64-64.
5汤德伟.照相机的曝光记忆装置[J].大众摄影（上半月）,1991,0(6):46-47.
6尼康公司计划裁员数千人[J].数字家庭,2016,0(12):95-95.
7精品推荐[J].上海包装,2009,0(8):84-84.
80．3mm厚超薄电池问世充电仅需30s[J].现代材料动态,2012(5):21-22.
9Fujifilm导入ArF液浸曝光装置以加强先进光刻胶业务[J].集成电路应用,2008(3):44-44.
10日科学家发明可自由弯曲的超薄电池[J].创新时代,2012(4):14-14.

光机电信息

1995年第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部