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内建电场对InGaN耦合量子点光学性质的影响

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出处 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第2期121-121,共1页 Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)
基金 河南省高校青年骨干教师资助计划 河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(2003140027 20011400009)
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Shi Jun-jie, Gan Zi-zhao. Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on localized excitons in self-formed InGaN quantum dots[J].J Appl Phys,2003, 94:407-415.
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  • 3Cho H K, Lee J Y, Song J H, Yang P W, Kin C S. Influence of strain-induced indium clustering on characteristics of InGaN/GaN multiple quantum wells with high indium composition[J]. J Appl Phys,2002, 91:1104-1107.

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