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掺 Ca^(2+)的 Gd_3Ga_5O_(12)晶体正电子湮没研究
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作者 黄懋容 何永枢 +4 位作者 顾华 王蕴玉 张乐潓 林成天 刘海润 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1990年第1期68-70,共3页
本工作测定了含 Ca^(2+)量为0—100ppm 的 GGG 单晶的正电子寿命和 S 线形参数。Ca^(2+)含量在0—13.0 ppm 时,(?)和 S_j 随[Ca^(2+)]增加而线性增加,在其他浓度,(?)_j 和 S_j 只有轻微上升。研究了掺 Ca^(2+)后氧空位产生及其变化。
关键词 正电子湮没 钆镓石榴石 晶体
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用正电子湮没研究中子辐照Si 被引量:1
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作者 黄懋容 王蕴玉 +3 位作者 杨巨华 何永枢 郭应焕 刘彩池 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期480-482,共3页
硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受... 硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受缺陷电荷影响,研究结果表明在半导体中,正电子能被辐射损伤缺陷所捕获.本工作是用正电子湮没寿命来研究经过中子辐照后的单晶硅,未退火及在400~1150℃范围内退火的空位变化情况,讨论了捕获模型.1 展开更多
关键词 中子辐照 正电子湮没 半导体 缺陷
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铜基形状记忆合金热弹性马氏体相变缺陷的正电子湮没研究
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作者 何永枢 顾华 +4 位作者 杨巨华 周光明 杨建华 赵连城 雷廷权 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期23-25,共3页
铜基形状记忆合金的时效敏感性虽早有报道,但马氏体稳定化现象的发现并受到普遍的关注则是近几年的事。人们提出过再有序化、空位钉扎两种解释马氏体稳定化的主要机制。但对马氏体时效稳定化的研究仍然存在很多的疑问和分歧。
关键词 形状记忆合金 马氏体 正电子湮没
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高纯铝中不同应变速率拉伸的正电子湮没研究
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作者 吴奕初 王明华 +3 位作者 常香荣 田中卓 肖纪美 何永枢 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期952-954,共3页
一、引言 一般地讲,金属发生变形时,随着形变量的增加,正电子参数增加,小形变量时,参数增加显著;形变量达到一定程度;参数将趋于饱和。Park等在研究高纯铁单晶的变形时发现,正电子寿命与形变量的变化规律随形变方式(拉伸、弯曲、冷轧)... 一、引言 一般地讲,金属发生变形时,随着形变量的增加,正电子参数增加,小形变量时,参数增加显著;形变量达到一定程度;参数将趋于饱和。Park等在研究高纯铁单晶的变形时发现,正电子寿命与形变量的变化规律随形变方式(拉伸、弯曲、冷轧)而变。 展开更多
关键词 高纯铝 应变速率 正电子湮没
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用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器
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作者 黄懋容 顾华 +3 位作者 何永枢 王蕴玉 杨巨华 陈孝琛 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期499-504,共6页
ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地... ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地减少,电流大幅度地增加。如图1所示,正常态因ZnO电阻大,电流按A回路走,所以起动了机器,当电压加到ZnO的|V_A|时,即达到瞬时过电压后,此时ZnO的电阻突然变得非常小,几乎等于零,这时电流走B回路,因而起到保护仪表或机器的作用。所以ZnO电阻器是一种瞬时过电压抑压器。 ZnO压敏电阻器的导电机制和组分微观结构等问题在国外虽然研究得十分活跃,但尚未搞清楚;国内在这方面的研究报道得也很少。ZnO陶瓷的非欧姆性质是由在ZnO晶粒之间的高电阻晶界层引起的。 展开更多
关键词 正电子湮没 电阻器 氧化锌陶瓷
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掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究
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作者 黄懋容 王蕴玉 +3 位作者 杨巨华 何永枢 郭应焕 孙同年 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 1996年第12期1097-1102,共6页
用正电子湮设方法研究了掺硫的InP载流于浓度(n)、迁移率和温度对空位浓度的影响,并讨论了它们对空位浓度影响的机理.探讨了空位类型。
关键词 正电子湮没 半导体 温度 磷化铟
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掺杂Na^+的KCl色心激光晶体的正电子湮没研究
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作者 黄懋容 顾华 +4 位作者 王蕴玉 何永枢 杨巨华 林建明 许承晃 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 1991年第2期97-102,共6页
本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓... 本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓度。在附色的KCl晶体中存在明显的F心。S参数主要是受卤族阴离子外层电子的影响。此外还对掺Na^+的KCl单晶正电子湮没机制进行了讨论。 展开更多
关键词 KCL 色心激光晶体 正电子湮没 掺杂
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STUDY ON TEMPERING EFFECT OF SmCo_5 PERMANENT MAGNETS AT 710℃ BY POSITRON ANNIHILATION TECHNIQUE
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作者 何永枢 季国坤 +1 位作者 石岩 金汉民 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1988年第7期565-567,共3页
It is well known that an SmCo5 magnet quenched at about 900℃ has high coercivity iHc. But annealing at about 700℃ causes a rapid decrease of iHc. It has been considered that the drop of iHc is caused by the precipit... It is well known that an SmCo5 magnet quenched at about 900℃ has high coercivity iHc. But annealing at about 700℃ causes a rapid decrease of iHc. It has been considered that the drop of iHc is caused by the precipitation of Sm2Co17 phase in the SmCo5 matrix, and the precipitates act as the centers of reversed magnetic do- 展开更多
关键词 COERCIVITY annealing MAGNET quenched reversed attributed DENSE SPECTROMETER annealed spark
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POSITRON ANNIHILATION STUDY OF THE INFLUENCE OF DEFORMATION ON THE CARBONITRIDING PROCESS
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作者 何永枢 曹玔 +3 位作者 顾华 王瑞祥 谷南驹 曾照义 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1988年第5期364-366,共3页
Ⅰ. INTRODUCTION The deformed-thermochemical treatment is a new technology of heat treatment which has a bright future. But there are some discrepancies as to whether the dislocations produced in room temperature pre-... Ⅰ. INTRODUCTION The deformed-thermochemical treatment is a new technology of heat treatment which has a bright future. But there are some discrepancies as to whether the dislocations produced in room temperature pre-deformation will accelerate the carbonitriding process or retard it. 展开更多
关键词 DEFORMED BRIGHT ANNEALING accelerate dropped expanded FWHM INTERSTITIAL concerned defects
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POSITRON ANNIHILATION STUDY OF DEFECTS IN THERMOELASTIC MARTENSITE TRANSFORMATION OF Cu-BASE SHAPE MEMORY ALLOY
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作者 何永枢 顾华 +4 位作者 杨巨华 周光明 杨建华 赵连城 雷廷权 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1989年第19期1600-1604,共5页
I.INTRODUCTION It has long been well-known that Cu-base shape memory alloys are very sensitive to aging treatment. However, it is only in recent years that the stabilization effect of thermoelastic martensite has been... I.INTRODUCTION It has long been well-known that Cu-base shape memory alloys are very sensitive to aging treatment. However, it is only in recent years that the stabilization effect of thermoelastic martensite has been found and has attracted great attention of some investigators of shape memory alloys. Several mechanisms, such as reordering in 展开更多
关键词 DEFECT MARTENSITE TRANSFORMATION shape memory alloy
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POSITRON ANNIHILATION STUDY ON DEFORMATION OF HIGH PURITY ALUMINIUM AT DIFFERENT STRAIN RATES
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作者 吴奕初 王明华 +3 位作者 常香荣 田中卓 肖纪美 何永枢 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1991年第3期249-252,共4页
Ⅰ. INTRODUCTIONGenerally speaking, when metals are deformed, the S-parameter of positron annihilation increases obviously with the strain increasing. The parameter gradually tends to saturation when the strain is get... Ⅰ. INTRODUCTIONGenerally speaking, when metals are deformed, the S-parameter of positron annihilation increases obviously with the strain increasing. The parameter gradually tends to saturation when the strain is getting larger and larger. Park et al. concluded that the variation of positron lifetime with the strain was dependent on the conditions of deformation (coldrolling, bending and tensile stretching at 200 K). The lifetimes of positron at the edge and 展开更多
关键词 STRAIN RATE POSITRON ANNIHILATION S-ε curve.
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