集成电路芯片尺寸封装技术

芯片尺寸封装技术是９０年代初出现的一种新型封装技术，是封装领域的重要发展方向。

彩色PDP发展现状及其关键技术

介绍等离子体显示技术的最新发展状况，以及在该技术中所涉及的若干关键技术。

平板显示器件技术与进展

阐述了各类显示器件目前的技术发展状况 ,着重介绍了等离子体显示器、有机电致发光器件。

金刚石场效应管的研究与展望

介绍了金刚石器件的发展现状与技术，对金刚石双极器件和金刚石场效应管进行了分析。同时讨论了该领域未来的研究趋向。

i线光学光刻技术及其发展潜力

综述和分析了ｉ线光学光刻技术的现状和发展。指出结合移相掩模技术和离轴照明技术，可在确保焦深的基础上大幅度提高成像分辨率。

移相掩模技术

对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2～0.3μm LSI的设计。

智能大厦及其综合布线系统

阐述了智能大厦的含义、发展过程及关键技术，介绍了综合布线系统的特点、组成和目前讨论的几个焦点问题。智能建筑的兴起是当今建筑工业和电子信息业的一次革命，将成为一个新的经济增长点。

金刚石半导体器件的研究与展望

介绍了金刚石半导体器件的发展现状与技术,对金刚石肖特基二极管双极器件和金刚石场效应管进行了较详细的分析。同时。

GaAs高频器件及MMIC应用与市场探讨

主要阐述了GaAs系高频器件及其MMIC在民品中的应用实例 ,以及GaAsMMIC的民品市场探讨。

量子阱半导体激光器发展动态

综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流。

毫米波HEMT器件的开发与应用

报道了毫米波ＨＥＭＴ的发展及现状，介绍了低噪声和功率器件的一些相关技术和典型研究水平。并介绍了１２ＧＨｚ的低噪声ＨＥＭＴ在卫星电视接收机中的应用情况。

无线通信的RF器件及MMIC

近年来以手机为主的移动通信终端的日益普及,大大地推动了其关键器件GaAsMMIC和RF器件及模块的研发和规模生产的进程,给GaAs市场提供了巨大的市场机遇,使GaAs技术向低成本大批量民用领域实现了成功突破。 GaAs MMIC是移动通信终端高频段实现小型。

PDP的新结构和新驱动方式

一、引言 等离子体平板显示器(PDP)作为下一代大屏壁挂式TV的最佳显示器件而倍受研究机构和厂商青睐。随着30英寸级PDP制造技术的成熟,以及50英寸级XGA(扩展图形阵列)PDP的问世,使PDP与CRT在图像质量上的差距越来越短,在清晰度方面已经达到了CRT的水平。2000年,日本先锋公司H.Taniguchi等人发表了他们新开发的第二代50英寸级PDP。该器件在亮度、对比度和色彩还原性方面均有所提高,关键是得益于新结构、新驱动方式的技术创新。

InP/InGaAs异质结双极晶体管研究

阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态。

有机EL平板显示器件技术进展

自1936年初发现EL(电致发光)现象以来,直至将其应用于显示器件已延续了半个多世纪。以研究历史来看比液晶显示器件(LCD)长,但实用化却相对滞后。现在仍局限于少数公司在开发橙色或绿色的单色显示器件。这种单色器件使用Se和Zn等无机化合物薄膜为发光材料,属于结构简单的自发光型平板显示器件。但:发光效率低,为1m/W;驱动电压高,为100V以上;只能获得100cd/m^2的亮度。

超薄层材料生长技术

半导体超薄层材料的研究，依赖于先进的外延生长技术。本文着重该领域的ＭＢＥ。ＭＯＣＶＤ，ＣＢＥ和ＡＬＥ的发展现状及关键技术作一综述。

毫米波半导体器件的开发成绩骄人

以民用无线通信及多媒体信息系统和军用保密通信、末制导灵巧武器寻的以及雷达系统为代表的大量毫米波应用市场,推动了毫米波技术的开发和研究。但无论从哪个角度看,毫米波技术的发展,其相关元器件或电路模块都必须满足小型、轻便、低功耗、高可靠和低成本的要求。 美国国防部DARPA的MMIC计划,以及在90年代中期出台的MAFET(Microwave and Analog Front-End Technology)计划。