导师制带教对规培护士软技能影响的研究

探究导师制带教对规培护士软技能的影响。方法 从2023年1月起至2023年12月止,本院新聘入的78位护士被选为研究样本,通过随机分组方式将其划分为两个组别,分别是实验组和对照组,每组包含39名规培护士。对照组遵循了标准的培训方式,而实验组则执行了导师制带教培训模式,以此评估两种培训方案的成效。结果 培训后,各组规培护士软技能评分比较,实验组优于对照组(P<0.05);实验组在护士自我评价满意度以及患者的满意度方面,都超过了对照组,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论 将导师制带教应用于规培护士培训中,可明显提高规培护士软技能,有效地提高护士自我评价满意度和患者的满意程度。

腹膜透析患者首次发生腹膜炎的危险因素研究

目的探讨接受腹膜透析(PD)的患者首次发生腹膜炎的危险因素。方法选取2013—2015年于郑州大学第一附属医院肾脏病医院接受PD置管术并开始维持性PD的213例患者为研究对象。收集患者性别、年龄、体质指数、吸烟状态、有无高血压和糖尿病、开始PD时血清清蛋白水平,以及腹膜转运功能等临床资料。以患者接受PD置管术并开始维持性PD为随访起点,结局事件为首次发生腹膜炎,随访至患者转为血液透析、肾移植、死亡或研究终点(2015-12-31)。结果多因素Cox比例风险回归模型分析显示,性别[HR=2.566,95%CI(1.421,4.635)]、体质指数[HR=1.954,95%CI(1.220,3.128)]、吸烟状态[HR=1.659,95%CI(1.052,2.618)]、血清清蛋白[HR=2.024,95%CI(1.246,3.286)]是PD患者首次发生腹膜炎的独立影响因素(P<0.05)。结论男性、高体质指数、有吸烟史、低清蛋白血症的PD患者发生腹膜炎的风险增加。

针刺对不同分期脑梗死缺损神经功能恢复的影响

目的研究不同针刺方法对急性期、恢复期、后遗症期脑梗死神经功能的影响。方法各期脑梗死患者240例,随机分为"醒脑组"和"对照组",每组120例,其中急性期80例,每组40例;恢复期患者80例,每组40例;后遗症期80例,每组40例,分别观察治疗前、治疗后2周、4周及6个月时斯堪的那维亚卒中量表SSS的动态变化及日常生活活动能力BI指数。结果醒脑组各期患者的SSS均明显高于对照组(P<0.05);治疗4周后,醒脑组BI均高于对照组(P<0.01),且急性期和恢复期均优于后遗症期(P<0.001)。结论醒脑开窍针刺法治疗脑梗死的疗效显著,及早介入,更有助于恢复损伤神经功能和日常生活能力。

硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响

合成了适于半绝缘碳化硅单晶生长的高纯度SiC粉料。实验发现,不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌、组成和产率有影响。合成产物的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)观察,结构通过粉末衍射法(XRD)测定。结果表明,合成产率与Si粉的表面积有十分重要的关系,表面积越大,合成产率越高。合成温度和时间则决定了合成产物中-αSiC和-βSiC的比例。辉光放电质谱(GDMS)测量了合成产物的杂质含量,表明合成产物符合半绝缘SiC单晶的生长要求。

针刺治疗缺血性中风后遗症期89例临床观察

目的:探讨不同针刺方法治疗缺血性中风后遗症期患者的近期、远期疗效。方法:178例缺血性中风后遗症期患者随机分治疗组、对照组各89例,分别采用醒脑开窍针刺法和传统针刺法治疗,1次/d,治疗4周,观察2组患者治疗前、治疗后2周、4周及6个月时神经功能缺损SSS评分的动态变化以及治疗后6个月时SS-QOL评分和OHS评分。结果:治疗组患者治疗后2周、4周及6个月SSS评分增加值明显高于对照组。6个月随访时治疗组患者SS-QOL评分明显高于对照组,健康状况及OHS分级明显优于对照组。结论:醒脑开窍针刺法较传统针刺法更有助于缺血性中风后遗症期患者神经功能恢复,远期疗效显著。

半绝缘6H-SiC单晶的生长

用升华法生长出了电阻率高达1010Ω·cm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(secondary ion mass spectrometry,SIMS)、辉光放电质谱(glow discharge mass spectroscopy,GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明,钒的浓度会影响生长晶体的质量.分别用Pt和In做电极测试样品电阻率特性,发现不同的电极对测试结果有较大影响.

针刺治疗脑梗死的卫生经济学评价

目的:研究不同针刺方法对脑梗死恢复期患者神经功能恢复的影响及卫生经济学评价。方法:将恢复期的脑梗死患者100例,随机分为醒脑开窍针刺组和传统针刺对照组,每组50例,分别观察两组患者治疗前、治疗4周后临床神经功能缺损程度评分(CSS)以及日常生活活动能力(BI指数)的变化,同时进行成本-效果分析、增量分析评价。结果:醒脑组患者的CSS评分减少低于对照组(P<0.05),醒脑组BI指数高于对照组(P<0.01);醒脑组较对照组CSS评分每减少1分,少花费813.84元,BI指数每提高1分,少花费190.81元。结论:醒脑开窍针刺法更有助于改善患者神经功能和提高日常生活能力,更经济、有效。

针刺治疗急性脑梗死临床研究

针刺已广泛应用于急性脑梗死康复的治疗,临床上有多种针刺方法,如头针、体针、颅针、耳穴、穴位注射等,还有针刺配合中药、西药和康复训练等综合疗法;针刺疗效评价指标包括从脑梗死的发生机理和针刺的作用方面探讨,研究表明,针刺能促进脑梗死患者神经功能恢复。

神经组织工程支架或异种神经移植在面神经缺损中的应用

背景:了解面神经损伤的修复方法,以及各种组织支架的特性与优势,对于修复方法与材料的合理选择是十分必要的。目的:总结神经组织工程支架或异种神经移植在面神经缺损中的应用进展。方法:应用计算机检索PubMed数据库及CNKI数据库,在标题和摘要中以"组织工程支架,神经移植,面神经,修复"或"tissue engineering scaffolds,nerve trans plantation,facial,repair"为检索词进行检索。根据纳入标准选择21篇文献进行综述。结果与结论:面神经缺损后立即直接缝合神经的断端是最好的修复方法。自体神经移植受神经移植体来源之限,常造成供区失神经支配;以及产生束外有髓和无髓轴突无规则生长会导致神经纤维错向再生,造成严重的联带运动的不足。异体或异种神经移植法虽然取得了一定的效果,但仍处于动物实验的研究阶段,尚难以应用于临床。

口服聚乙二醇散剂对静脉尿路造影肠道准备的影响

目的探讨静脉尿路造影给予口服聚乙二醇散剂(舒泰清)对肠道准备的影响。方法将120例患者分为观察组与对照组各60例,对照组行常规灌肠,观察组给予口服聚乙二醇散剂(舒泰清)。结果两组肠腔清洁度比较、排便次数比较、不良反应比较均有统计学意义(P<0.05)。结论静脉尿路造影行肠道准备,口服聚乙二醇散剂(舒泰清)是行之有效的方法。

治疗慢性肾炎验方

笔者应用加味健脾补肾饮治疗慢性肾炎,效果满意。 处方：菟丝子10g,肉苁蓉12g,谷芽15g,炙甘草10g,香附12g,砂仁5g,陈皮5g,清半夏12g,莲子12g,芡实12g,扁豆15g,薏米15g,山药15g,茯苓15g,党参12g。服法：水煎,每日1剂,10d为1个疗程。一般治疗2~3个疗程。

品管圈管理在降低经外周静脉泵入胺碘酮引发静脉炎发生率中的应用

目的探讨品管圈活动在降低经外周静脉泵入胺碘酮引发静脉炎发生率中的应用效果。方法成立品管圈活动小组,确立活动主题,随机对活动前后两组共80例经外周静脉泵入胺碘酮的患者进行调查,分析引发静脉炎的要因,针对性地拟定对策并实施。结果实施品管圈活动后,经外周静脉泵入胺碘酮引发静脉炎发生率从85%降低至30%,差异显著,有统计学意义(P=0.000)。结论应用品管圈管理能有效降低经外周静脉泵入胺碘酮静脉炎的发生率,减轻患者的痛苦,同时也提高了护士的积极性和主动解决问题的能力。

心肌梗死合并室间隔穿孔一例救治与护理

室间隔穿孔是心肌梗塞最严重并发症，2003年2月，我们救治一例心肌梗死合并室间隔穿孔患者。现报告如下。1病历资料 患者女，65岁，诊断：急性下壁后壁心肌梗死合并室间隔穿孔。因发作性胸痛七天，加重一天收入院，查体：患者老年女性，神志清，精神不振，喘憋貌，体温36．2℃脉搏118次／分呼吸19次／分血压112／80mmhg，双肺底可闻及细湿啰音，右肺明显，胸骨左缘第四肋间可触及震颤，闻及四级收缩期杂音。

SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术.通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场.近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量.由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛.研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.

6H-SiC衬底片的表面处理(英文)

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底。本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响。用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面。结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量。经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm。在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜。