HEMT材料的电子辐射效应

用能量为１～１．８ＭｅＶ、注量为１０￣（１３）～１０￣（１０）／ｃｍ￣２的电子，对ＨＥＭＴ（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照，得到了材料结构中的２维电子气（２ＤＥＧ）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系，井进行了讨论．还将该结果与电子辐照Ｐ－ＨＥＭＴ和ＬＴ－ＨＥＭＴ材料的结果进行了比较，对异质结界面的辐照效应进行了分析。

利用电子顺磁共振对掺Mn刚玉晶体中子辐照变价的研究

测量并对比了掺Ｍｎ刚玉晶体在中子辐照及退火处理前后的电子顺磁共振（ＥＰＲ）谱，结合紫外－可见光吸收谱的结果，发现Ｍｎ２＋和Ｍｎ４＋的浓度降低，而Ｍｎ３＋浓度增加，虽然Ｍｎ离子的掺杂浓度并无改变，但其价态由于中子辐照而引起了改变．实验结果还表明，中子辐照可在晶体内形成Ｍｎ２＋与Ｆ－心的复合体，但退火后则有一部分转化为Ｍｎ２＋与Ｆ心的复合体．

粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷

Al1 xGaxAs/GaAs量子阱材料在高速和高频电子器件有着广泛的应用 ,研究其辐照效应及其辐照引入的深能级缺陷直接关系着高速高频器件在空间技术中应用的稳定性 ,由于人造卫星运行所穿透的宇宙范·艾伦辐射带中核辐射主要来自电子束及质子束 ,因此本工作以电子、质子辐照为主研究其引入的深能级缺陷。采用传统的分子束外延 (MBE)方法在GaAs衬底上生长具有量子阱的AlGaAs/GaAs材料 ,包括单量子阱(SQW )和多量子阱 (MQW )样品。用静电加速器对样品进行电子束辐照实验 ,电子束能范围为 0 .4～ 1.8MeV ,注量为 1× 10 13～ 1× 10 16 cm- 2 。用高压倍加器进行质子束辐照 ,质子束能量范围为 2 0～ 130MeV ,注量为 1× 10 11～ 1× 10 14 cm- 2 。为进行深能级瞬态谱 (DLTS)的测量 ,以样品n+ GaAs衬底上的铟作为欧姆接触 ,在样品正面蒸上50 0 μm左右的金点作为肖特基势垒 ,使用IBMPC计算机作为数据采集和处理系统的匈牙利Semitrap公司生产的高灵敏度锁相深能级瞬态谱仪DLS 82F进行DLTS测试 ,测量灵敏度为△C/C～ 10 - 5,测量的温度范围为 77～380K ,采用温度和频率扫描二种途径并通过Arrheninsplots验证有关深能级位置 ,而能级的俘获截面则通过改变样品上所加的脉冲宽度来获得。辐照前后的样品均经过深能级?

用大角度伴随粒子法测量聚变中子产额及其校对实验

描述了用大角度（１７８．２°）伴随α粒子方法测量绝对Ｄ－Ｔ 聚变中子产额及其校对实验。为此，设计和加工了一套三叉管校对靶室。α粒子探测器分别置于与Ｄ＋ 束成９０°、１３５°和１７８．２°的方向上。测量和比较了三个方向的α粒子谱和绝对中子产额。分析了实验误差来源。并对实验结果进行了讨论。

用透射反射扫描法检测光学薄膜的激光损伤

用波长 1 .0 6 μm的激光透射反射自动扫描装置扫描了激光辐照前后薄膜的反射比和透射比。薄膜样品的工作波长为 1 .0 6 μm。将扫描结果与相衬显微镜观察到的形貌相对照。实验结果表明 ,用透射反射扫描法不仅能反映出相衬显微镜所能观察到的损伤 ,而且也能发现某些显微镜所不能发现的损伤。由于透射比和反射比可以反映出薄膜对激光的传输性能 ,因此也能反映出薄膜能否继续工作 ,以此来判定损伤与否。因此用透射反射扫描法可以作为检测损伤的手段 ,由于简单易行 ,可以在线检测。

一种新型辐射变色膜的γ射线辐照研究

报道了以高聚物为载体,以有机染料及添加剂为变色指示剂体系,制备一种辐射变色膜.这种辐射变色膜为无色透明固体薄膜,经60Co γ射线辐照后,其颜色变为蓝色.辐照后样品的紫外-可见吸收光谱表明,在可见光区其最强吸收峰出现在624 nm附近.在10～90 kGy的剂量范围内,不含添加剂的辐射变色膜的光密度变化与吸收剂量呈线性关系,而含有添加剂的辐射变色膜对γ射线辐照的响应在50 kGy时就达到饱和.同时还探索了该体系辐照效应的化学反应机理.

UBK7玻璃后表面缺陷诱导体内激光损伤

对 UBK7玻璃在波长为 1 .0 64 μm的短脉冲激光作用下产生的损伤进行了研究。通过对体损伤的形貌的相衬显微镜观测 ,发现体内和后表面炸裂点间的丝状损伤 ,从而提出后表面缺陷导致体损伤的理论解释。同时分析了表面损伤和体损伤的机理 。

改进的溶胶-凝胶法制备YAG纳米粉体

采用低成本的无机-有机复合体系的溶胶-凝胶法成功制备出了Y3Al5O12(YAG)纳米粉体.实验中通过将Y(NO3)3和Al(NO3)3按摩尔比3:5溶解于异丙醇中,再加入适量柠檬酸后生成溶胶,经过脱醇、干燥形成纳米胶球前驱体,将其在适当温度下焙烧后生成YAG纳米粉体.在此过程中,采用了独特的循环水真空泵负压脱醇技术,大大缩减了脱醇和干燥时间,由40h降为4h.分别采用XRD,TEM和TG/DTA分析了不同温度下焙烧所得粉体的物相、形貌以及前驱体热分解特性.结果表明,与其它有机和无机体系制备方法相比,得到的YAG粉体颗粒近似球形,细小均匀,平均尺寸为20～40nm,并具有很好的分散性.

特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究

采用真空蒸发真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻温度关系,及其电阻温度系数与晶粒大小、激活能等的关系.

晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一,本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏,应在保证p/n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。

多晶硅薄膜太阳电池厚度和晶粒尺寸对其性能的影响

利用PC1D计算了结构为n+ / p和n+ / p p+ 多晶硅薄膜太阳电池的晶粒尺寸和薄膜厚度对其Voc,Jsc和 η的影响。计算结果表明 :对无陷光结构的多晶硅薄膜太阳电池 ,要获得 10 %的效率 ,薄膜厚度至少应大于 2 2 μm ;晶粒尺寸大于薄膜厚度的 4倍时 ,晶界复合对载流子寿命的影响可以忽略 ;同时表明 :太阳电池的背表面场 (BSF)

钛合金氧化膜的AES和XPS研究

用X射线衍射仪(XRD)、X射线电子谱仪(XPS)和原位俄歇电子谱(AES)法研究了Ti-Al-V合金在300℃pH9的水中氧化13000h所形成的氧化膜的结构、成分和价态以及其随深度的变化。发现氧化膜是由TiO2、Al2TiO5、Ti3O5、Ti2O3和TiO所组成,并且,氧化膜由表面到基体基本是按以上顺序交迭构成。通过XPS和原位AES分析发现钛合金表面形成稳定的厚约500nm的Ti4+(TiO2)层,随深度的增加出现了Ti3+(Ti3O5、Ti2O3)和Ti2+(TiO),直至基体,氧化膜总厚度约3000nm。

用于制备YAG透明陶瓷激光材料超细粉体的合成及其表征研究

作者以硝酸钇和硫酸铝铵 (摩尔比为 3∶5 )为原料 ,碳酸氢铵为沉淀剂 ,利用无机体系共沉淀法制备了钇铝石榴石Y3 Al5O12 (YAG)前驱体 .对前驱体进行适当处理并采用高温热解法 ,制备出了纯相的YAG超细粉体 .用XRD分别分析了不同焙烧温度下所得粉体物相、用TG/DTA分析前驱体在加热过程中的重量变化和晶化的温度 ,用TEM观察所得YAG超细粉体的形貌 .结果表明 ,和其它无机体系相比 ,可在较低焙烧温度 (90 0℃ )下直接得到YAG纯相 ,而且粉体颗粒细小均匀 ,呈椭球形 ,尺寸为 30～ 4 0nm .

热处理及训练对NiTi形状记忆合金弹簧双向记忆效应的影响

形状记忆合金作为双程驱动元件时通常是与一偏压元件同时使用来实现双程驱动[1,2 ] 。本文通过不同热处理制度对Ti Ni形状记忆合金的弹簧相变点和形状恢复率的影响以及训练次数对形状恢复率的影响研究 ,以期获得性能良好的双向记忆合金弹簧单独作为双向驱动元件的最佳处理条件。结果表明经 4 5 0℃热处理并经过 2

光学膜层激光损伤阈值均匀性的实验研究

镀制了多种氧化物介质薄膜。用R on 1方法测定了膜层的激光损伤阈值。引入数据处理方法,对测试数据进行分析。结果表明,基片清洗后,若放置一段时间再镀膜,则会影响到镀膜后膜层损伤阈值的均匀性,但对损伤阈值自身大小没有影响。测试激光参数对阈值均匀性也有一定影响。

用铀裂变室研究反射中子测量技术

在自行设计的水泥屏蔽体中，用铀裂变室研究了反射中子测量技术。在不同实验系统上，测量了铁球壳表面不同位置上中子引起的绝对裂变反应率分布。实验总误差为３．９％。

价态和结构对VO_2薄膜热致相变光电性能的影响

本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度 ,利用真空还原V2 O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2 薄膜 ;通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2 薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响 ,得到最佳真空还原参数 ;制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达 3个数量级 ,90 0nm波长光透过率在相变前后改变了 4 0 %左右 ,光学特性相变响应参数较大 ,热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究 ,结果表明较低温度退火有利于V5+ 离子的还原 ,而升高退火温度可改善结晶状态 ,退火时间对VO2 中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2 薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。

高反射膜激光零几率损伤阈值的实验研究

在确定光学薄膜激光损伤阈值的实验数据处理过程中,发现一些样品的数据点分布偏离直线型式。对此,用国际标准规定的零几率来确定损伤阈值的同时,对测试数据点采用了不同的非直线拟合,也得到一个零几率损伤阈值。比较两者差异,并与实验测试结果对照,发现这些样品采用非直线拟合得出的零几率损伤阈值与实际情况更接近一些。

高感度辐射变色薄膜电子剂量计

以聚乙烯醇缩聚物为基质，以类丁二炔化合物为有机染色材料，研制了一种高灵敏度新型辐射变色膜。采用JJ-2型范格拉夫静电加速器对变色薄膜进行剂量范围为15～90Gy的电子束辐照，结果显示：变色薄膜颜色由粉红渐变为蓝色，并随着辐照剂量的增加而逐渐加深；分光光度计测试其吸收光谱，发现主吸收峰值出现在675nm附近，且吸收峰处的响应吸光度与电子注量具有较好的线性关系；对变色层厚度为20～80μm的变色膜，吸收峰处的响应吸光度与其变色层厚度也成线性关系；添加不同比例的协同剂，能提高变色薄膜的响应灵敏度；变色膜辐照后续效应微弱，辐照后可以立即测量，且对测量环境变化不敏感。

晶体生长用TiO_2纳米晶的改良工艺研究

针对晶体生长的具体应用，分别以硫酸氧钛铵（ＡＴＳ）和改良硫酸氧钛铵（Ｍ－ＡＴＳ）为原料，采用高温焙烧法制备了ＴｉＯ２纳米晶，用ＸＲＤ分析了原料和纳米晶的物相，用ＳＥＭ分析了纳米晶的形貌．结果表明虽然两种原料具有相似的物相结构，但所得纳米晶的性状不同，Ｍ－ＡＴＳ焙烧所得纳米晶分散性更高，均匀性更好．此外，研究了焙烧温度、保温时间、急烧、缓烧等工艺条件对纳米晶形貌、物相的影响，并给出了批量制备ＴｉＯ２纳米晶粉体的最佳工艺条件．