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与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计 被引量:11
1
作者 毛陆虹 陈弘达 +6 位作者 吴荣汉 唐君 梁琨 粘华 郭维廉 李树荣 吴霞宛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期193-197,共5页
用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm ... 用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm COMS工艺制做了该探测器 ,实际测试了该器件的频率响应和波长响应 ,探测器频率响应在 1GHz以上 ,峰值波长响应在 0 .6 9μm. 展开更多
关键词 光电探测器 器件模拟 CMOS工艺 兼容 设计
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量子阱半导体激光器调制特性和噪声的电路模拟 被引量:2
2
作者 毛陆虹 郭维廉 +1 位作者 陈弘达 吴荣汉 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第1期38-42,共5页
给出一种量子阱半导体激光器 (QWLD)小信号等效电路模型 ,可以作为含有QWLD系统计算机辅助设计的模型。模型包括QWLD的高速调制特性和噪声 ,对QWLD的调制特性和噪声进行了模拟 ,并对比了已发表的模拟和实验结果。
关键词 量子阱半导体激光器 电路模型 调制 噪声
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半导体激光器FM噪声的电路模型及其应用 被引量:3
3
作者 毛陆虹 粘华 李林林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期41-43,共3页
本文给出了半导体激光器(LD)FM噪声特性的等效电路模型,使得对LD的调制和噪声特性可用通用电路分析软件进行分析,模型的模拟结果与已报导的理论和实验一致,用此模型对本征LD的一些FM特性进行了分析。
关键词 半导体激光器 FM噪声 电路模型
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10Gbit/s甚短距离传输系统接收模块研究 被引量:2
4
作者 毛陆虹 贺传峰 +3 位作者 戴居丰 陈弘达 周毅 陈雄斌 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2005年第4期66-70,共5页
本文研究了符合OIF-VSR4-01.0规范的甚短距离(VSR)并行光传输系统转换器集成电路,实现了接收部分转换器集成电路中帧同步、8B/10B解码、12路通道去斜移、检错纠错等模块的设计。在Altera的StratixGX系列的FPGA上实现了接收部分转换器集... 本文研究了符合OIF-VSR4-01.0规范的甚短距离(VSR)并行光传输系统转换器集成电路,实现了接收部分转换器集成电路中帧同步、8B/10B解码、12路通道去斜移、检错纠错等模块的设计。在Altera的StratixGX系列的FPGA上实现了接收部分转换器集成电路。仿真分析的结果表明所设计的各个模块能正确的实现接收部分转换器集成电路的功能,给出了仿真结果。 展开更多
关键词 甚短距离传输 转换器集成电路 帧同步 仿真分析
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用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径 被引量:1
5
作者 毛陆虹 韩建忠 +3 位作者 粘华 高鹏 李炜 陈永权 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第7期101-105,共5页
介绍了 1 0Gbit/s速率的甚短距离光传输系统VSR(VeryShortReach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成 (OEIC)
关键词 CMOS电路 VSR光电集成接收机 甚短距离传输 同步光网络 多模光纤 光电探测器 单片集成方案 互补金属氧化物半导体
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光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟 被引量:1
6
作者 毛陆虹 郭维廉 +4 位作者 李树荣 郑云光 张世林 沙亚男 吴霞宛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期882-886,共5页
给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面... 给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 。 展开更多
关键词 PNEGIT 电路模型 模拟 光电负阻晶管
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OFDM-ROF系统中峰均比抑制及预失真技术的研究 被引量:1
7
作者 毛陆虹 张智栋 +1 位作者 郭志英 南敬昌 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2012年第7期2610-2613,共4页
针对OFDM-ROF链路中各器件非线性分别分析的复杂性,就OFDM-ROF系统提出了基于MATLAB的联合仿真系统分析,采用了峰值抵消法和记忆多项式预失真技术;最终的AM/AM特性、频谱、星座图和收敛误差仿真结果显示该系统较原来的系统有很大的改进... 针对OFDM-ROF链路中各器件非线性分别分析的复杂性,就OFDM-ROF系统提出了基于MATLAB的联合仿真系统分析,采用了峰值抵消法和记忆多项式预失真技术;最终的AM/AM特性、频谱、星座图和收敛误差仿真结果显示该系统较原来的系统有很大的改进,说明了对OFDM-ROF系统采用峰均比抑制以及预失真技术的可行性。 展开更多
关键词 光纤无线通信(ROF) 正交频分复用 非线性 预失真 峰均比
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共振隧穿型太赫兹波振荡器设计
8
作者 毛陆虹 贺鹏鹏 +4 位作者 赵帆 郭维廉 张世林 谢生 宋瑞良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期458-462 496,共6页
本文设计的RTD结构,采用目前最新的发射极渐变In含量(GE)结构和集电区隔离层与势垒层之间的高In过渡层(HITL)结构,同时对发射区和集电区进行重掺杂。发射极设计面积为1μm2至几μm2的情况下,通过基于非平衡格林函数法的量子输运模拟器Wi... 本文设计的RTD结构,采用目前最新的发射极渐变In含量(GE)结构和集电区隔离层与势垒层之间的高In过渡层(HITL)结构,同时对发射区和集电区进行重掺杂。发射极设计面积为1μm2至几μm2的情况下,通过基于非平衡格林函数法的量子输运模拟器WinGreen模拟,将势阱厚度从4.5nm降低到4nm,峰值电流密度JP从13mA/μm2达到43mA/μm2,输出功率从235μW达到2.625mW。阵列型RTO可实现功率合成,使RTO的功率再增加一个数量级,达到毫瓦甚至几十毫瓦。同时建立包含各种寄生参数的等效电路模型,通过PSPICE工具仿真,得到振荡频率可达1.78THz的仿真结果。 展开更多
关键词 共振隧穿型太赫兹波振荡器 磷化铟基共振隧穿二极管 发射极渐变铟含量结构 高铟过渡层结构 功率合成
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Small Signal Equivalent Circuit Model and Modulation Properties of Vertical Cavity-Surface Emitting Lasers
9
作者 毛陆虹 陈弘达 +5 位作者 梁琨 唐君 吴荣汉 粘华 郭维廉 吴霞宛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期82-86,共5页
Small signal equivalent circuit model and modulation properties of vertical cavity surface emitting lasers(VCSEL's) are presented.The modulation properties both in analytic equation calculation and in circuit mo... Small signal equivalent circuit model and modulation properties of vertical cavity surface emitting lasers(VCSEL's) are presented.The modulation properties both in analytic equation calculation and in circuit model simulation are studied.The analytic equation calculation of the modulation properties is calculated by using Mathcad program and the circuit model simulation is simulated by using Pspice program respectively.The results of calculation and the simulation are in good agreement with each other.Experiment is performed to testify the circuit model. 展开更多
关键词 VCSEL circuit model modulation property
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一种应用于单芯片UHF阅读器的低成本直接上变频发射机(英文)
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作者 毛陆虹 门春雷 +2 位作者 张世林 张艳征 谢生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期477-482,492,共7页
提出了一种利用标准0.18μm CMOS工艺实现的单芯片UHF阅读器的发射机。为了实现低成本和全集成的目标,采用了直接上变频结构,主要模块包括截止频率为125 kHz的脉冲整形滤波器,DSB-ASK调制的非平衡式的混频器和两级AB类放大器。就单芯片... 提出了一种利用标准0.18μm CMOS工艺实现的单芯片UHF阅读器的发射机。为了实现低成本和全集成的目标,采用了直接上变频结构,主要模块包括截止频率为125 kHz的脉冲整形滤波器,DSB-ASK调制的非平衡式的混频器和两级AB类放大器。就单芯片阅读器的发射机而言,它的整版面积(含PAD和ESD保护)少于2 mm2,具有全集成、低成本的特点。在1.8 V和3.3 V的供电电压下,输出功率达18.6 dBm,各项性能满足EPC GlobalClass1 Gen2协议要求。 展开更多
关键词 射频识别 阅读器 发射机 上变频
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Si-Ge异质结基区BMHMT三端特性的器件模拟
11
作者 毛陆虹 郭维廉 +2 位作者 陈培毅 牛萍娟 沙亚男 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期141-143,共3页
在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高... 在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高了注入效率 ;同时又增大了迁移率 ,从而提高特征频率。因此 ,这种器件具有 β高、基区电阻低。 展开更多
关键词 混合模式晶体管 Si-Ge异质结 三端特性 BMHMT
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弱光反馈对半导体激光器IM动态频率飘移的影响
12
作者 毛陆虹 李林林 《郑州大学学报(自然科学版)》 CAS 1990年第2期68-71,共4页
本文研究了弱光反馈对半导体激光器(LD)脉冲IM动态频率飘移(DFS)的影响,数值分析表明:外部光反馈可以有效地抑制LD的DFS。
关键词 半导体 激光器 强度调制 弱光反馈
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外部光注入半导体激光器的大信号宏模型
13
作者 毛陆虹 胡国驹 朱国桢 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第11期7-11,共5页
本文给出了外部光注入半导体激光器(LD)的大信号非线性宏模型,使得对外部光注入LD的特性可以用通用电路分析软件进行分析,运用此模型对外部光注入LD的双稳和动态调制特性进行了分析,模型的分析结果与已报导的理论和实验基本... 本文给出了外部光注入半导体激光器(LD)的大信号非线性宏模型,使得对外部光注入LD的特性可以用通用电路分析软件进行分析,运用此模型对外部光注入LD的双稳和动态调制特性进行了分析,模型的分析结果与已报导的理论和实验基本一致。 展开更多
关键词 半导体激光器 注入锁定 宏模型
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半导体激光器动态频率飘移的大信号分析
14
作者 毛陆虹 李林林 《郑州大学学报(自然科学版)》 CAS 1991年第2期50-52,共3页
本文研究了半导体激光器(LD)在大信号下的动态频率飘移(DFS),分析表明:提高LD的偏置电流,增大调制电流的幅度可以抑制DFS。
关键词 激光器 半导体 动态频率飘移
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卫星电视伴音接收中未正确使用加重网络引起的频响失真
15
作者 毛陆虹 粘华 《广播与电视技术》 北大核心 1996年第10期46-47,共2页
卫星电视伴音接收中未正确使用加重网络引起的频响失真毛陆虹,粘华(郑州大学电子工程系)1问题的提出卫星电视模拟伴音信号的调制,是用声音信号对第二伴音副载波1^调频,与电视图像信号在合成器中混合得到基带信号,基带信号与主... 卫星电视伴音接收中未正确使用加重网络引起的频响失真毛陆虹,粘华(郑州大学电子工程系)1问题的提出卫星电视模拟伴音信号的调制,是用声音信号对第二伴音副载波1^调频,与电视图像信号在合成器中混合得到基带信号,基带信号与主载波fc调频后传输的。这样伴音的预... 展开更多
关键词 卫星电视 伴音 加重网络 失真 电视接收
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Si光电负阻器件和Si-Ge异质结混合模式晶体管的模拟研究
16
作者 毛陆虹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期36-36,共1页
关键词 光电负阻器件 锗化硅 异质结晶体管
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选频电压表在测量调频信号时的有效值误差
17
作者 毛陆虹 《电子测量与仪器学报》 CSCD 1991年第2期52-56,共5页
本文研究了选频电压表在测量调频信号时由信号的频偏引起的有效值检波误差,给出了误差表达式,进行了数值计算,进而导出了误差近似公式,并讨论了其应用范围。
关键词 选频电压表 调频信号 有效值 误差
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电磁干扰测量仪在测量调频波时的理论误差
18
作者 毛陆虹 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 1993年第3期47-50,共4页
本文研究了电磁干扰测量仪在测量调频波的平均值检波误差,给出了误差表达式,进行了数值计算,进而给出误差近似公式,并作了实验,实验结果与理论分析基本一致。
关键词 电磁干扰测量仪 平均值检波 调频波
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基于参考标签的射频识别定位算法研究与应用 被引量:40
19
作者 王远哲 毛陆虹 +1 位作者 刘辉 肖基诰 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第2期86-92,共7页
对基于参考标签的最近邻居定位算法提出了若干改进,提出了动态k值设定的方法,参考标签可信度的概念和最近邻标签偏差校正算法,并采用了目标标签历史轨迹算法。基于多天线的时分复用搭建了室内定位系统,并且依据改进后的算法开发了相应... 对基于参考标签的最近邻居定位算法提出了若干改进,提出了动态k值设定的方法,参考标签可信度的概念和最近邻标签偏差校正算法,并采用了目标标签历史轨迹算法。基于多天线的时分复用搭建了室内定位系统,并且依据改进后的算法开发了相应的界面软件。实测表明改进算法的定位精度和在恶劣环境下定位结果的稳定度比原算法有了明显提高。 展开更多
关键词 射频识别 室内定位 参考标签 定位算法
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集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器 被引量:14
20
作者 王倩 毛陆虹 +2 位作者 张欢 张世林 谢生 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期462-467,共6页
提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,... 提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃~50℃范围内,脉冲周期从1.841μs~0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。 展开更多
关键词 无源RFID 温度传感器 高分辨率 CMOS工艺
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