(Sr,Pb)TiO_3超微粉体的制备和性质

应用草酸盐共沉淀法制备（Sr，Pb）TiO3超细粉体，分析了共沉淀产物的热分解过程，确定了晶化温度和煅烧条件，同时，测量了粉末的晶粒尺寸，标定了材料的晶体结构，试验了粉体的烧结条件．结果表明，用草酸盐共沉淀法制备陶瓷粉末，合成温度远远低于传统的固相反应合成法，陶瓷粉末晶粒微细、均匀、烧结温度低；在（Sr，Ph）TiO3陶瓷中观测到了小尺寸微晶粒的结构奇异现象，即当粉末微粒尺寸很小时，晶体结构不是通常的四方铁电相结构，而是立方顺电相结构．

V型特性PTC材料的复阻抗解析

采用复阻抗解析法研究了Ｖ型特性ＰＴＣ材料（Ｓｒ０．４５Ｐｂ０．５５）ＴｉＯ３的晶粒和晶界的电学性能．结果表明，Ｖ型ＰＴＣ效应来源于材料的晶界，Ｖ型ＰＴＣ效应是一种晶界效应．

碳化铀核燃料缺陷结构的研究现状

与传统的氧化型核燃料相比,碳化铀因其有潜力用于第四代反应堆而受到广泛关注。为了安全有效地利用这种先进核燃料,有必要对它的结构、体性质和缺陷形成机制充分认识,从而了解随着裂变反应的进行裂变产物对核燃料性能的影响规律。本文对铀碳系列化合物(UC、UC_2和U_2C_3)实验和理论研究进行了综述,重点分析其缺陷结构下的化学和力学性能,同时对进一步的研究提出了展望。目的在于帮助核能领域的研究者厘清碳化铀的服役行为,同时为燃料设计者提供有价值的线索。

（Sr，Pb）TiO_3陶瓷的PTCR现象

通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于７０Ω·ｃｍ，升阻比超过１０６。

SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究

采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的可靠性．结果显示，高温氧化形成的SiO2／4H-SiC（0001）界面，同时存在着Si^，Si^2＋，Si^3＋ 3种低值氧化物，变角分析表明，一个分层模型适合于描述该过＋渡区的成分分布．建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度．结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压（C-V）测试分析，揭示了过渡区成分与界面态的直接关系．

(Sr,Pb)TiO_3陶瓷材料的制备、结构和性质

采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３粉末，分析了共沉淀产物的热分解过程，确定了结晶温度，同时，标定了材料的晶体结构并计算了晶胞参数，得出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方相向立方相转变的温度（Ｃｕｒｉｅ温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的性质。在（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷中观测到了小尺寸微晶粒的结构奇异现象，即当粉末微粒尺寸很小时，晶体结构不是通常的四方铁电相结构，而是立方顺电相结构。

化学法制备的（Sr，Pb）TiO_3基PTCR陶瓷

通过化学工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于１０２Ω．ｃｍ，升阻比高达１０６．３３，烧结温度可以降低至１１００℃以下。

动态DSC法研究BMI改性酚醛树脂固化反应动力学

采用非等温DSC(差示扫描量热)法研究BMI(双马来酰亚胺)改性PF(酚醛树脂)体系的固化动力学,借助升温速率-温度(β-T)外推法和红外光谱(FT-IR)跟踪固化反应过程,确定了BAN(BMI改性PF)体系的固化工艺和固化动力学参数。结果表明:BAN的固化工艺为"120℃/2 h→140℃/2 h→160℃/2 h→180℃/2 h",后处理工艺为220℃/3 h,BAN固化体系的动力学参数是表观活化能Ea=123.4 kJ/mol、频率因子A=1.96×1012s-1和反应级数n=1.05;根据n级动力学反应模型求解出该树脂的反应动力学方程,其计算值与试验值基本吻合,说明该模型能较好描述BAN的固化反应过程。

钛酸锶铅基复合热敏电阻材料的设计

为了在钛酸锶铅〔（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３〕基ＰＴＣ材料中获得较强的ＮＴＣ效应，从分析可能产生较强ＮＴＣ效应的原因入手，利用重现性较好的液相化学工艺考察材料的化学不均匀性、固溶性、半导化以及晶界成分等单一因素对ＮＴＣ效应所起的作用。结果表明，材料的化学不均匀性对ＮＴＣ效应有一定的影响，而材料的晶界成分对ＮＴＣ效应起决定性的作用。通过粉体的表面改性方法可以获得高性能的ＮＴＣ－ＰＴＣ复合热敏电阻材料，材料的最小电阻率低（１０２Ω·ｃｍ），ＮＴＣ温度系数高达－３．５×１０－２°Ｃ－１。

热分析技术在无机材料研究中的某些应用

介绍了热分析技术在无机材料研究中的某些应用。

固化剂对BMI改性酚醛模塑料性能的影响

合成了一种双马来酰亚胺改性酚醛树脂,探讨了固化剂HTMA及PO对树脂及其模塑料性能的影响,研究了两种固化树脂的固化特性。结果表明,PO引发固化的模塑料相对于HTMA具有更好的性能,马丁耐热温度可达148℃,表面电阻率高达2.56×1015Ω,冲击强度和弯曲强度分别为51.66 kJ/m2和113.9 MPa。

PTCR型(Sr,Pb)TiO_3陶瓷材料的半导化研究

研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％～０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω·ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２添加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。

N型4H-SiC ECR氢等离子体处理研究

采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控。在200°C～700°C温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低。

SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价

降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV。实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性。

化学法制备的PTCR型(Sr,Pb)TiO_3半导体陶瓷

采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方→立方相转变温度（居里温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的材料性质。

(Sr,Pb)TiO_3复合钙钛矿型铁电体的晶体结构

应用化学共沉淀法制备系列Pb/Sr比例的(Sr,Pb)TiO_3粉末,标定了体材料的晶体结构,计算了材料的晶胞参数,给出了晶胞参数随Pb/Sr比例的变化规律。

高校普及音乐教育的意义与途径

我国高校普及音乐教育有着特殊的战略意义 ,它关系到在新形势下大学生如何建立正确的世界观、增强综合素质和自身的全面发展 ;同时它对于大学校园文化的构建和办学特色也具有一定的现实意义。高校普及音乐教育应结合国情、校情和学生自身特点 ,注意实施途径的选择和有关问题的解决 ;具体要做到观念、制度和教学方式的创新 ,开展音乐活动则应“以点带面” ,力图使音乐教育与音乐活动相互衔接。

地方高师音乐专业教育目标及定位考察

地方高师音乐教育作为我国艺术教育整体结构中的一环,应当有其自身的学科定位、教学方法以及发展模式。但长期以来,地方高师与其它开设有音乐教育专业的院校相比,在许多方面有其雷同化和比附性的问题存在,并且导致音乐教育专业的学生普遍存在着“重舞台,轻讲台”的学习心理。地方高师音乐教育专业要想寻求长期发展,并且理性地选择自己能够进入并能发挥其特长和作用的领域,应该采取回避定位和空白定位的发展战略,扬长避短,以求进入良性发展的轨道。

TiC/n型4H-SiC欧姆接触的低温退火研究

利用电子回旋共振(ECR)氢等离子体处理n型4H-SiC(0.5～1.5×1019cm-3)表面,采用溅射法制备碳化钛(TiC)电极,并在低温(<800℃)条件下退火。直线传输线模型(TLM)测试结果表明,TiC电极无需退火即可与SiC形成欧姆接触,采用ECR氢等离子体处理能明显降低比接触电阻,并在600℃退火时获得了最小的比接触电阻2.45×10-6Ω.cm2;当退火温度超过600℃时,欧姆接触性能开始退化,但是比接触电阻仍然低于未经氢等离子体处理的样品,说明ECR氢等离子体处理对防止高温欧姆接触性能劣化仍有明显的效果。利用X射线衍射(XRD)分析了不同退火温度下TiC/SiC界面的物相组成,揭示了电学特性与微观结构的关系。