本文报道了4.2~300K 温度范围的富含 Si 的 Si_(1-x)Ge_x 合金的晶格振动红外透射光谱.实验首次观察到 Ge 杂质诱发的一个新的共振模吸收.结果还表明,直拉法生长的Si_(1-x)Ge_x 合金存在严重的氧沾污,且氧的振动峰随温度的降低向高频...本文报道了4.2~300K 温度范围的富含 Si 的 Si_(1-x)Ge_x 合金的晶格振动红外透射光谱.实验首次观察到 Ge 杂质诱发的一个新的共振模吸收.结果还表明,直拉法生长的Si_(1-x)Ge_x 合金存在严重的氧沾污,且氧的振动峰随温度的降低向高频方向移动.展开更多