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屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理 被引量:14
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作者 罗小蓉 李肇基 +2 位作者 张波 郭宇锋 唐新伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2154-2158,共5页
提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.... 提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3ESi升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压. 展开更多
关键词 屏蔽槽 自适应界面电荷 调制 纵向电场 击穿电压
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SiC表面氢化研究 被引量:6
2
作者 罗小蓉 张波 +1 位作者 李肇基 龚敏 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第11期2191-2194,共4页
该文提出6H-SiC((0001^-))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表而悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC... 该文提出6H-SiC((0001^-))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表而悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC表面。将此模型用于SiC/金属接触的SiC表面处理,在100℃以下制备了理想因子n=1.2~1.25的肖特基结和比接触电阻ρc=5×10^-3Ω·cm^2~7×10^-3Ω·cm^2的SiC欧姆接触,其优点在于不仅避免了欧姆接触800~1200℃的高温合金,而且改善了肖特基接触的电学特性。SiC表面模型与实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 过渡层 氢化 界面态 费米能级钉扎 理想因子
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表面氢化对SiC/金属接触的作用机理 被引量:4
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作者 罗小蓉 李肇基 +1 位作者 张波 龚敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期164-167,共4页
提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0~ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0... 提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0~ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0°C以下制备了比接触电阻 ρc=5~ 8× 1 0 - 3Ω·cm2的 Si C欧姆接触和理想因子 n=1 .2 5~ 1 .3的肖特基结。与欧姆接触采用 95 0°C高温合金制备的 Si C肖特基二极管比较表明 ,表面氢化处理不仅能避免高温合金 ,降低工艺难度 ,而且能改善器件的电学特性。 展开更多
关键词 氢化 极性 界面态 接触电阻 理想因子
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部分局域电荷槽SOI高压器件新结构 被引量:4
4
作者 罗小蓉 张波 +1 位作者 李肇基 唐新伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期115-120,共6页
提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近Si O2的临界击穿电场ESi O2,C;另外,硅窗口将耗尽层引... 提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近Si O2的临界击穿电场ESi O2,C;另外,硅窗口将耗尽层引入衬底,因而提高了器件的击穿电压.同时,硅窗口的存在大大缓解了自热效应.借助二维器件仿真研究了器件的击穿特性和热特性.结果表明,漂移区厚2μm,埋氧层厚1μm的PTSOI耐压可达700V以上;对埋氧层厚1μm和3μm的PTSOI,其器件的最高温度分别比TSOI低6K和25K. 展开更多
关键词 电荷槽 界面电荷 自热效应 纵向电场 击穿电压
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《微电子工艺》的理论教学与学生实践能力培养 被引量:10
5
作者 罗小蓉 张波 李肇基 《实验科学与技术》 2007年第1期77-79,共3页
就《微电子工艺》课程的理论与实验教学进行了探讨。结合笔者的教学实践,介绍了《微电子工艺》课程教学内容的选取、教学方式的改革与探索,强调了将教师的理论教学、实验教学与学生的自主学习相结合的教学方式,以激发学生的学习兴趣,培... 就《微电子工艺》课程的理论与实验教学进行了探讨。结合笔者的教学实践,介绍了《微电子工艺》课程教学内容的选取、教学方式的改革与探索,强调了将教师的理论教学、实验教学与学生的自主学习相结合的教学方式,以激发学生的学习兴趣,培养动手能力,提高教学效果。 展开更多
关键词 微电子工艺 教学方法 实验 能力
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可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性 被引量:4
6
作者 罗小蓉 李肇基 张波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期881-885,共5页
提出了一种可变低k(相对介电常数)介质层(variablelowkdielectriclayer,VLkD)SOI高压器件新结构,该结构的埋层由可变k的不同介质组成.基于电位移连续性原理,利用低k提高埋层纵向电场和器件纵向耐压,并在此基础上提出SOI的介质场增强原理... 提出了一种可变低k(相对介电常数)介质层(variablelowkdielectriclayer,VLkD)SOI高压器件新结构,该结构的埋层由可变k的不同介质组成.基于电位移连续性原理,利用低k提高埋层纵向电场和器件纵向耐压,并在此基础上提出SOI的介质场增强原理.基于不同k的埋层对表面电场的调制作用,使器件横向耐压提高,并给出VLkDSOI的RESURF判据.借助2D器件仿真研究了击穿特性与VLkDSOI器件结构参数之间的关系.结果表明,对kIL=2,kIH=3·9,漂移区厚2μm,埋层厚1μm的VLkD器件,埋层电场和器件耐压分别达248V/μm和295V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高了93%和64%. 展开更多
关键词 可变低κ介质层 纵向电场 调制 RESURF判据 击穿电压
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p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究 被引量:1
7
作者 罗小蓉 廖伟 +2 位作者 廖勇明 洪根深 龚敏 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期53-56,共4页
作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I~V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I~V特性的影响 .
关键词 6H碳化硅 肖特基二极管 宽禁带半导体
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基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型 被引量:1
8
作者 罗小蓉 李肇基 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期71-72,共2页
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit,HVIC)因其具有高速、低功耗、抗辐照以及易于隔离等优点而得以广泛应用。作为SOIHVIC的核心器件,SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压,限制了其在高压功率集成... SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit,HVIC)因其具有高速、低功耗、抗辐照以及易于隔离等优点而得以广泛应用。作为SOIHVIC的核心器件,SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压,限制了其在高压功率集成电路中的应用。为此,国内外众多学者提出了一系列新结构以提高SOI横向高压器件的纵向耐压。但迄今为止,SOI横向高压器件均采用SiO2作为埋层,且实用SOI器件击穿电压不超过600V;同时,就SOI横向器件的电场分布和耐压解析模型而言,现有的模型仅针对具有均匀厚度埋氧层和均匀厚度漂移区的SOI器件建立,而且没有一个统一的理论来指导SOI横向高压器件的纵向耐压设计。笔者围绕SOI横向高压器件的耐压问题,从耐压理论、器件结构和耐压解析模型几方面进行了研究。基于SOI器件介质层电场临界化的思想,提出介质电场增强ENDIF(Enhanced Dielectric LayerField)理论。在ENDIF理论指导下,提出三类SOI横向高压器件新结构,建立相应的耐压解析模型,并进行实验。(1)ENDIF理论对现有典型横向SOI高压器件的纵向耐压机理统一化ENDIF理论的思想是通过增强埋层电场而提高SOI横向器件的纵向耐压。ENDIF理论给出了增强埋层电场的三种途径:采用低εr(相对介电常数)介质埋层、薄SOI层和在漂移区/埋层界面引入电荷,并获得了一维近似下埋层电场和器件耐压的解析式。ENDIF理论可对现有典型SOI横向高压器件的纵向耐压机理统一化,它突破了传统SOI横向器件纵向耐压的理论极限,是优化设计SOI横向高压器件纵向耐压的普适理论。(2)基于ENDIF理论,提出以下三类SOI横向高压器件新结构,并进行理论和实验研究①首次提出低εr型介质埋层SOI高压器件新型结构及其耐压解析模型低εr型介质埋层SOI高压器件包括低εr介质埋层SOI高压器件、变εr介质埋层SOI高压器件和低εr介质埋层PSOI(PartialSOI)高压器件。该类器件首次将低介电系数且高临界击穿电场的介质引入埋层或部分埋层,利用低εr介质增强埋层电场、变εr介质调制埋层和漂移区电场而提高器件耐压。通过求解二维Poisson方程,并考虑变εr介质对埋层和漂移区电场的调制作用,建立了变εr介质埋层SOI器件的耐压模型,由此获得RESURF判据。此模型和RESURF判据适用于变厚度埋层SOI器件和均匀介质埋层SOI器件,是变介质埋层SOI器件(包括变εr和变厚度介质埋层SOI器件)和均匀介质埋层SOI器件的统一耐压模型。借助解析模型和二维器件仿真软件MEDICI研究了器件电场分布和击穿电压与结构参数之间的关系。结果表明,变εr介质埋层SOI高压器件的埋层电场和器件耐压可比常规SOI器件分别提高一倍和83%,当源端埋层为高热导率的Si3N4而不是SiO2时,埋层电场和器件耐压分别提高73%和58%,且器件最高温度降低51%。解析结果和仿真结果吻合较好。②提出并成功研制电荷型介质场增强SOI高压器件笔者提出的电荷型介质场增强SOI高压器件包括:(a)双面电荷槽SOI高压器件和电荷槽PSOI高压器件,其在埋氧层的一侧或两侧形成介质槽。根据ENDIF理论,槽内束缚的电荷将增强埋层电场,进而提高器件耐压。电荷槽PSOI高压器件在提高耐压的基础上还能降低自热效应;(b)复合埋层SOI高压器件,其埋层由两层氧化物及其间多晶硅构成。该器件不仅利用两层埋氧承受耐压,而且多晶硅下界面的电荷增强第二埋氧层的电场,因而器件耐压提高。开发了基于SDB(Silicon Direct Bonding)技术的非平面埋氧层SOI材料的制备工艺,并研制出730V的双面电荷槽SOILDMOS和760V的复合埋层SOI器件,前者埋层电场从常规结构的低于120V/μm提高到300V/μm,后者第二埋氧层电场增至400V/μm以上。③提出薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件新结构并建立其耐压解析模型该器件的漂移区厚度从源到漏阶梯增加。其原理是:在阶梯处引入新的电场峰,新电场峰调制漂移区电场并增强埋层电场,从而提高器件耐压。通过求解Poisson方程,建立阶梯漂移区SOI器件耐压解析模型。借助解析模型和数值仿真,研究了器件结构参数对电场分布和击穿电压的影响。结果表明:对tI=3μm,tS=0.5μm的2阶梯SOI器件,耐压比常规SOI结构提高一倍,且保持较低的导通电阻。仿真结果证实了解析模型的正确性。 展开更多
关键词 电子技术:ENDIF SOI 低εr介质 调制 击穿电压 解析模型
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6H-SiC肖特基二极管的特性研究
9
作者 罗小蓉 李肇基 +1 位作者 张波 龚敏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期38-40,共3页
 采用缓慢氧化-稀释的HF刻蚀-沸水浸泡法(BW法)处理SiC表面,以减少其界面态。首次在100°C以下制备了6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻ρc=5~7×10-3Ω.cm2,理想因子n=1.20~1.25。同时,还制备了P型6H-SiC肖特基二极...  采用缓慢氧化-稀释的HF刻蚀-沸水浸泡法(BW法)处理SiC表面,以减少其界面态。首次在100°C以下制备了6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻ρc=5~7×10-3Ω.cm2,理想因子n=1.20~1.25。同时,还制备了P型6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触采用950°C高温合金Al/SiC工艺获得,该样品衬底较大的串联电阻导致其正向压降偏高,理想因子较大。实验表明,BW法不仅能降低合金温度和工艺难度,而且能有效改善器件的电学特性。 展开更多
关键词 6H-SIC 肖特基二极管 碳化硅器件 界面态 欧姆接触
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复合介质层SOI高压器件电场分布解析模型
10
作者 罗小蓉 李肇基 张波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2005-2010,共6页
提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据.CDL SOI结构利用漏端低k(介电常数)介质增强埋层纵向... 提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据.CDL SOI结构利用漏端低k(介电常数)介质增强埋层纵向电场,具有不同k值的复合介质埋层调制漂移区电场,二者均使耐压提高.借助解析模型和二维数值仿真对其电场和电势进行分析,二者吻合较好.结果表明,对低k值为2的CDL SOILDMOS,其埋层电场和器件耐压分别比常规SOI结构提高了82%和58%. 展开更多
关键词 复合介质层 纵向电场 调制 击穿电压 RESURF判据
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表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理
11
作者 罗小蓉 张波 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期340-342,354,共4页
研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理。采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度。该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想因子为1.20~1.25的6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触... 研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理。采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度。该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想因子为1.20~1.25的6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻为(5~7)×10?3?·cm2。表面氢化处理的优点在于避免了欧姆接触所需的800~1200℃的高温合金,降低了工艺难度,改善了肖特基结的电学特性。 展开更多
关键词 氢化 极性 界面态 接触电阻 理想因子
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高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
12
作者 罗小蓉 李肇基 张波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1832-1837,共6页
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化... 针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7·5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%. 展开更多
关键词 SOI 低k介质埋层 纵向电场 击穿电压 自热效应
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论英语教学中的背景知识 被引量:1
13
作者 罗小蓉 《长江师范学院学报》 2012年第4期72-74,共3页
背景知识就是预先获得的知识。大学英语教学中,面对学生的个体差异现状,教师往往根据实际情况采取一定的策略,降低教学难度,改变学生学习的被动局面。尊重个体差异,帮助学生构建相应的背景知识,有助于学生理解与接受学习的内容,使英语... 背景知识就是预先获得的知识。大学英语教学中,面对学生的个体差异现状,教师往往根据实际情况采取一定的策略,降低教学难度,改变学生学习的被动局面。尊重个体差异,帮助学生构建相应的背景知识,有助于学生理解与接受学习的内容,使英语教学达到事半功倍的效果。 展开更多
关键词 个体差异 大学英语 课堂教学 背景知识
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p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究 被引量:1
14
作者 罗小蓉 龚敏 《半导体情报》 2001年第3期59-61,共3页
研究了 p型 Al/6H- Si C肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数。采用电流 -电压法 ( I-V)测试了肖特基二极管的理想因子 n和肖特基势垒高度b。对其基本电学参数 n和b 的温度特性进行了研究 ,并分析了串联电阻对 I- V特性的影响。
关键词 6H碳化硅 肖特基二极管 宽禁带半导体
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宽带隙半导体器件仿真中收敛性问题的分析
15
作者 罗小蓉 周春华 +4 位作者 陈壮梁 詹瞻 张波 李肇基 雷磊 《实验科学与技术》 2007年第2期14-16,共3页
针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案。ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保... 针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案。ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保证求解结果正确性,并且对刚开始进行宽带隙半导体器件仿真设计的本科生有很大帮助。 展开更多
关键词 宽带隙半导体 收敛 少数载流子 ISE仿真
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十二指肠-胃返流与胃肠激素关系的研究进展 被引量:1
16
作者 罗小蓉 《国外医学(消化系疾病分册)》 2002年第4期204-207,共4页
十二指肠-胃返流的生理和病理机制尚未明确。目前认为胃肠激素在原发性病理性十二指肠-胃返流中起重要作用。本文就胃肠激素与十二指肠-胃返流的关系作一综述。
关键词 研究进展 十二指肠-胃返流 胃肠激素 胃肠运动 发病机制
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基于《高级英语》MOOC制作的高校英语教师能力拓展研究 被引量:1
17
作者 罗小蓉 《海外英语》 2018年第4期87-88,共2页
以《高级英语》的MOOC制作为例,归纳高校英语教师适应互联网+的教学模式所必须拓展的新型能力,即以课程设计为主的专业能力,以团队协作和角色应变主的教学能力和以问题为导向的科研能力。
关键词 《高级英语》 MOOC制作 英语教师 能力拓展
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慕课视域下高校英语教师的角色转型研究 被引量:1
18
作者 罗小蓉 《英语教师》 2019年第13期95-97,共3页
分析慕课的研究现状。认为在大学英语教学中,教师应重新定位自己的角色,以慕课为依托,以不同阶段教师的角色需求为依据,进行角色转型。提出教师应根据慕课的运行流程,即“制作→应用→总结→修订(制作)→应用→总结”全面进行角色转型。
关键词 慕课 高校教师 角色转型
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MOOC视域下高校英语教师的能力建构
19
作者 罗小蓉 《大学英语教学与研究》 2017年第6期103-106,共4页
MOOC的切入点是教师。它要求高校英语教师要充分利用这一历史契机,在保持语言优势的同时,拓展以课程设计、课程本地化和知识验证为主的专业能力,以团队协作、课堂驾驭和角色应变为主的教学能力和以"互联网+"的应用、问题导向... MOOC的切入点是教师。它要求高校英语教师要充分利用这一历史契机,在保持语言优势的同时,拓展以课程设计、课程本地化和知识验证为主的专业能力,以团队协作、课堂驾驭和角色应变为主的教学能力和以"互联网+"的应用、问题导向和数据应用为主的科研能力。 展开更多
关键词 MOOC 高校 英语教师 能力建构
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1200V功率MOS栅驱动集成电路的设计 被引量:4
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作者 乔明 方健 +4 位作者 李肇基 张波 罗小蓉 李泽宏 杨舰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期138-141,共4页
 文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55~125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是S...  文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55~125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是SPIC的一种典型电路。 展开更多
关键词 高低端功率器件 智能功率集成电路 功率MOS栅驱动集成电路 LDMOS 脉冲宽度 滤波宽度
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